[發明專利]一種厚膜生長設備

有效

• 申請號: 202111487339.5
• 申請日: 2021-12-06
• 公開（公告）號: CN114150377B
• 公開（公告）日: 2023-09-12
• 發明（設計）人: 丁欣
• 申請（專利權）人: 上海埃延管理咨詢合伙企業（有限合伙）
• 主分類號: C30B25/14
• 分類號: C30B25/14;C30B25/10;C30B25/12;C30B29/36
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種厚膜生長設備，其特征在于，用于碳化硅生成，該設備包括：

反應腔室，其包括基座，其中所述基座上水平放置襯底；

反應氣體管道，所述反應氣體管道將反應氣體運送至反應腔室，并且使所述反應氣體沿所述襯底表面由所述襯底的第一側向第二側水平流動；以及

加熱裝置，其被配置為對所述反應氣體和所述襯底進行加熱；

其中所述反應氣體管道包括：

第一管道，其運送第一反應氣體；以及

第二管道，其運送第二反應氣體，所述第二管道與所述第一管道同軸；或者所述第二管道與所述第一管道準同軸，其中所述第二管道將第二反應氣體從所述第一管道的進氣口的后方處進入所述第一管道以形成所述第一反應氣體的同軸氣體，其中在所述反應氣體管道中所述第一反應氣體的平均溫度高于所述第二反應氣體的平均溫度。

2.根據權利要求1所述的厚膜生長設備，其特征在于，包括一個或者多個所述基座。

3.根據權利要求1和2之一所述的厚膜生長設備，其特征在于，所述基座上水平放置一個或者多個所述襯底。

4.根據權利要求1所述的厚膜生長設備，其特征在于，包括襯底運送裝置，所述襯底運送裝置用于運送所述襯底。

5.根據權利要求1所述的厚膜生長設備，其特征在于，所述加熱裝置包括：

第一加熱裝置，其布置在所述反應氣體管道的上方和下方以加熱所述反應氣體；以及

第二加熱裝置，其布置在所述基座的上方和下方以加熱所述襯底的上下表面。

6.根據權利要求5所述的厚膜生長設備，其特征在于，所述第一加熱裝置包括多個正交加熱器，所述正交加熱器包括第一條狀加熱器以及第二條狀加熱器，其中第一條狀加熱器和第二條狀加熱器相互垂直并且別布置在與所述襯底平行的第一平面和第二平面上。

7.根據權利要求6所述的厚膜生長設備，其特征在于，所述第一或第二條狀加熱器在所述第一或第二平面上平行間隔布置并且構成多個溫度控制分區。

8.根據權利要求6所述的厚膜生長設備，其特征在于，所述第二加熱裝置包括多個正交加熱器：和\或

多個扇區加熱器；和\或

多個環形加熱器。

9.根據權利要求8所述的厚膜生長設備，其特征在于，所述第一或第二反應氣體包括硅化學氣體、碳化學氣體或者碳化硅前驅物氣體。

10.根據權利要求9所述的厚膜生長設備，其特征在于，所述反應氣體管道還包括第三管道，所述第一管道、第二管道與第三管道之間同軸或者準同軸，其中所述第三管道運送第三氣體，所述第三氣體包括氫氣以及惰性氣體。

11.根據權利要求10所述的厚膜生長設備，其特征在于，在所述反應氣體管道中，所述第三氣體的平均溫度高于所述第二反應氣體的平均溫度并且低于所述第一反應氣體的平均溫度。

12.根據權利要求11所述的厚膜生長設備，其特征在于，所述第一至第三管道被構造為使得所述第一和第二反應氣體與所述第三氣體同時匯合；或者

所述第一至第三管道被構造為使得所述第一或第二反應氣體與所述第三氣體先匯合。

13.根據權利要求12所述的厚膜生長設備，其特征在于，所述反應氣體管道還包括第四管道，所述第一管道、第二管道、第三管道與第四管道之間同軸或者準同軸，其中所述第四管道運送摻雜氣體。

14.根據權利要求1所述的厚膜生長設備，其特征在于，還包括輔助氣體裝置，所述輔助氣體裝置被構造為將輔助氣體從所述反應腔室的頂部注入以促使反應發生。

15.根據權利要求1所述的厚膜生長設備，其特征在于，還包括刻蝕氣體裝置，所述刻蝕氣體裝置被構造為將刻蝕氣體注入所述反應腔室以刻蝕寄生反應副產物。