[發(fā)明專利]一種具有三角形埋層的絕緣層上硅LDMOS晶體管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111483996.2
• 申請(qǐng)日: 2021-12-07
• 公開（公告）號(hào): CN114171582A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡月;張慧;丁怡;王高峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州電子科技大學(xué)溫州研究院有限公司;杭州電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 浙江千克知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33246
• 代理人: 周雷雷

1.一種具有三角形埋層的絕緣層上硅LDMOS晶體管，包括襯底層、全埋氧層、硅膜層和器件頂層，其特征在于：所述的襯底層設(shè)置在底部，摻雜類型為P型，摻雜硅材料；襯底層上面為全埋氧層，所述的全埋氧層采用二氧化硅；全埋氧層上面為硅膜層；所述的硅膜層包括源區(qū)、硅體、漂移區(qū)、漏區(qū)和三角埋氧層；三角埋氧層采用二氧化硅材料，源區(qū)、硅體、漂移區(qū)、漏區(qū)都為硅材料；源區(qū)和硅體位于硅膜層一側(cè)，硅體包圍源區(qū)，且源區(qū)位于硅膜層頂部；漏區(qū)位于硅膜層另一側(cè)頂部；漏區(qū)、硅體和三角埋氧層之間的區(qū)域?yàn)槠茀^(qū)；三角埋氧層位于全埋氧層上方，且三角埋氧層的底面與全埋氧層頂面貼合，三角埋氧層的底面兩側(cè)與漂移區(qū)兩側(cè)界面分別對(duì)齊；溝道由源區(qū)和漂移區(qū)之間的硅體提供；源區(qū)和漏區(qū)的摻雜類型為N型；硅體摻雜類型為P型；漂移區(qū)摻雜類型為N型；所述的器件頂層包括柵氧化層、擴(kuò)展氧化層、源電極、柵電極和漏電極；所述的柵氧化層位于溝道和漂移區(qū)上方，采用二氧化硅；所述的擴(kuò)展氧化層位于漂移區(qū)上方，采用二氧化硅；擴(kuò)展氧化層和柵氧化層的兩個(gè)相鄰側(cè)面接觸；柵氧化層被柵電極全部覆蓋，擴(kuò)展氧化層被柵電極部分覆蓋；所述的源電極位于源區(qū)上方，漏電極位于漏區(qū)上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種具有三角形埋層的絕緣層上硅LDMOS晶體管，其特征在于：所述襯底層的長度為110μm，摻雜濃度為4×10¹⁴cm-3；全埋氧層的厚度為3μm；硅膜層的厚度為20μm；源區(qū)和漏區(qū)的長度均為5μm，摻雜濃度為1×10²⁰cm^-3；硅體摻雜濃度為1×10¹⁷cm^-3；溝道的長度為5μm；柵氧化層的厚度為30nm；擴(kuò)展氧化層的厚度為60nm；硅體的長度為15μm，厚度為8μm；三角埋氧層的厚度為19μm，長度為110μm；漂移區(qū)摻雜濃度為7×10¹⁴cm^-3。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種具有三角形埋層的絕緣層上硅LDMOS晶體管，其特征在于：所述源區(qū)和漏區(qū)的厚度均為1μm，柵氧化層的長度為6μm，擴(kuò)展氧化層的長度為90μm。