[發明專利]紫外發光二極管及發光裝置

有效

• 申請號: 202111481531.3
• 申請日: 2021-12-06
• 公開（公告）號: CN114267763B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 曾煒竣;張中英;臧雅姝;江賓;陳思河;龍思怡
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/46
• 代理公司: 廈門加減專利代理事務所(普通合伙) 35234
• 代理人: 包愛萍;楊澤奇

1.一種紫外發光二極管，其特征在于：所述紫外發光二極管包括：

襯底，具有第一表面；

外延結構，位于所述襯底的第一表面上，并包括第一半導體層、發光層、第二半導體層、第一凹槽與第二凹槽，所述第一半導體層、所述發光層和所述第二半導體層依次層疊在所述襯底的第一表面上，所述第一凹槽是自所述第二半導體層貫穿至所述第一半導體層，所述第二凹槽是自所述第一半導體層向所述襯底延伸，所述第一半導體層于所述第二凹槽處具有第一側壁；

第一接觸電極，至少覆蓋部分所述第一側壁，并電連接所述第一半導體層；

第二接觸電極，位于所述外延結構上，并電連接所述第二半導體層；

其中，所述第一半導體層中摻雜有Al，從所述紫外發光二極管的上方朝向所述外延結構俯視，所述第一凹槽的面積占所述外延結構的面積的20％-70％，所述第二凹槽位于所述第一凹槽的內部。

2.根據權利要求1所述的紫外發光二極管，其特征在于：所述第一側壁具有傾斜角度，所述傾斜角度小于等于60°。

3.根據權利要求1所述的紫外發光二極管，其特征在于：所述第一側壁具有傾斜長度，所述傾斜長度大于0.3μm且小于15μm。

4.根據權利要求1所述的紫外發光二極管，其特征在于：所述紫外發光二極管還包括第一金屬結構，覆蓋所述第一接觸電極。

5.根據權利要求4所述的紫外發光二極管，其特征在于：所述第一金屬結構的材料選自Cr、Al、Ti、Ni、Rh、Pt或Au中的一種或多種。

6.根據權利要求4所述的紫外發光二極管，其特征在于：所述第一接觸電極具有第三凹槽，所述第三凹槽是自所述第一接觸電極的上表面向所述襯底延伸，所述第一金屬結構位于所述第三凹槽內。

7.根據權利要求6所述的紫外發光二極管，其特征在于：所述第三凹槽在所述第一表面上的投影位于所述第二凹槽在所述第一表面上的投影的內部。

8.根據權利要求6所述的紫外發光二極管，其特征在于：所述第一凹槽的深度范圍是0.2μm-1.5μm，所述第二凹槽的深度范圍是0.5μm-8μm，所述第三凹槽的深度范圍是0.5μm-8μm。

9.根據權利要求1所述的紫外發光二極管，其特征在于：所述第一接觸電極還覆蓋所述第二凹槽的槽底和所述第一半導體層的上表面。

10.根據權利要求4所述的紫外發光二極管，其特征在于：所述第一金屬結構還覆蓋未被所述第一接觸電極覆蓋到的第一側壁和所述第二凹槽的槽底。

11.根據權利要求4所述的紫外發光二極管，其特征在于：所述紫外發光二極管還包括高反射層，所述高反射層至少覆蓋部分的未被所述第一接觸電極覆蓋到的第一側壁，所述第一金屬結構覆蓋所述高反射層。

12.根據權利要求11所述的紫外發光二極管，其特征在于：所述高反射層完全覆蓋未被所述第一接觸電極覆蓋到的第一側壁以及所述第二凹槽的槽底。

13.根據權利要求1所述的紫外發光二極管，其特征在于：從所述紫外發光二極管的上方朝向所述外延結構俯視，部分所述第二凹槽是位于所述第一接觸電極的指狀電極內。

14.根據權利要求13所述的紫外發光二極管，其特征在于：位于所述指狀電極處的第二凹槽的最大孔徑的范圍是1-35μm，位于所述指狀電極處的第二凹槽的最小孔徑大于等于0.5μm。

15.根據權利要求13所述的紫外發光二極管，其特征在于：從所述紫外發光二極管的上方朝向所述外延結構俯視，所述第一接觸電極環繞于所述發光層，位于所述紫外發光二極管邊緣處的部分第二凹槽與所述第一接觸電極重疊。