[發明專利]半導體存儲裝置及制備方法

在審

• 申請號: 202111481282.8
• 申請日: 2021-12-06
• 公開（公告）號: CN114334837A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 陳敏騰
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 董琳

1.一種半導體存儲裝置的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底，所述襯底表面形成有多個接觸窗，所述接觸窗內形成有堆疊結構，且所述堆疊結構的上表面高于所述襯底的上表面；

在所述堆疊結構的側壁表面形成側墻；

對所述側墻進行氮化處理，以至少增強所述側墻的表面的絕緣強度。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述堆疊結構的側壁表面形成側墻的方法，至少包括以下步驟：

在所述堆疊結構的側壁表面至少形成一個子側墻。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述對所述側墻進行氮化處理的方法，至少包括以下步驟：

對最外層的子側墻進行氮化，以至少增強所述最外層的子側墻的絕緣強度。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述子側墻包括硅層、氧化硅層中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述堆疊結構的側壁表面形成側墻的方法，至少包括以下步驟：

依次在所述堆疊結構的側壁表面形成堆疊設置的兩個子側墻。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述兩個子側墻包括第一子側墻和第二子側墻，且所述第一子側墻設置在所述堆疊結構的側壁表面，所述第二子側墻設置在所述第一子側墻的表面；

所述第一子側墻包括硅層、氧化硅層、氮化硅層中的至少一種，所述第二子側墻包括硅層、氧化硅層中的至少一種。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第二子側墻的厚度為所述第一子側墻厚度的五分之一至三分之一。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氮化處理包括滲氮處理，且所述滲氮處理的滲氮深度為0.5nm～2nm。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，進行所述滲氮處理時的工作溫度為500℃至600℃。

10.一種半導體存儲裝置，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底表面的接觸窗，所述接觸窗暴露所述襯底內部；

位于所述接觸窗內，并突出于所述襯底上表面的堆疊結構；

位于所述堆疊結構的側壁表面的側墻，所述側墻至少包括：

第一子側墻，位于所述堆疊結構的側壁表面；

第二子側墻，位于所述第一子側墻的表面；

第三子側墻，至少部分位于所述第二子側墻表面，其中所述的第三子側墻是藉由第二子側墻通過氮化處理得到。

11.根據權利要求10所述的半導體存儲裝置，其特征在于，所述第一子側墻與第三子側墻的組成成分相同。

12.根據權利要求10所述的半導體存儲裝置，其特征在于，第二子側墻部分不連續。

13.根據權利要求10所述的半導體存儲裝置，其特征在于，所述第三子側墻的厚度為0.5nm～2nm。

14.根據權利要求10所述的半導體存儲裝置，其特征在于，所述第二子側墻的厚度為所述第一子側墻的厚度的五分之一至三分之一。

15.根據權利要求10所述的半導體存儲裝置，其特征在于，所述第一子側墻包括硅層、氧化硅層、氮化硅層中的至少一種，所述第二子側墻包括硅層、氧化硅層中的至少一種。