[發明專利]存儲器的操作方法、存儲器及存儲系統

在審

• 申請號: 202111480772.6
• 申請日: 2021-12-06
• 公開（公告）號: CN114296636A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 賈建權
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 李芳

本申請公開了一種存儲器的操作方法、存儲器及存儲系統，涉及存儲器技術領域。該存儲器中包括堆疊的第一存儲串和第二存儲串，該方法包括：向耦合到第一存儲串的第一虛設字線施加第一電壓；以及控制耦合到第二存儲串的第二虛設字線處于第二電壓；所述第一電壓高于所述第二電壓，且所述第一電壓和所述第二電壓之間的壓差符合在所述第一存儲串和第二存儲串之間的連接區產生帶帶隧穿的壓差要求。在重摻雜連接區兩端形成壓差，在重摻雜連接區上下形成電勢差強電場，使空穴在強電場區產生，并向第二堆棧的方向運動，從而對第二堆棧的存儲單元中的數據進行擦除，避免受重摻雜連接區的影響而無法對中部堆棧進行擦除的問題。

技術領域

本申請實施例涉及存儲器技術領域，特別涉及一種存儲器的操作方法、存儲器及存儲系統。

背景技術

三維(3-dimension，3D)存儲器通常包括多個陣列排布的存儲串，每個存儲串包括多個層級串聯的存儲單元。隨著通信技術和大數據技術的發展，用戶對于存儲器容量的需求正在逐步提升，由于存儲器容量受到存儲串層數影響，故對于存儲串的層數要求也相應提升。

由于刻蝕工藝的限制，需要通過多次刻蝕形成多個堆棧(deck)堆疊(stack)的存儲串，而多個堆棧之間形成有重摻雜連接區。存儲串的一端連接源線，另一端連接位線，相關技術中，在進行存儲串數據擦除時，從源線連接端和/或位線連接端開始向存儲串的中間充入空穴進行數據擦除。

然而，通過上述方式進行數據擦除時，數據擦除過程中的空穴無法跨越重摻雜連接區，在一定情況下，堆棧無法順利完成數據擦除。

發明內容

本申請實施例提供了一種存儲器的操作方法、存儲器及存儲系統，能夠避免重摻雜連接區對數據擦除過程的影響。所述技術方案如下：

一方面，提供了一種存儲器的操作方法，所述存儲器中包括堆疊的第一存儲串和第二存儲串，該方法包括：

向耦合到所述第一存儲串的第一虛設字線施加第一電壓；以及控制耦合到所述第二存儲串的第二虛設字線處于第二電壓；所述第一電壓高于所述第二電壓，且所述第一電壓和所述第二電壓之間的壓差符合在所述第一存儲串和所述第二存儲串之間的連接區產生帶帶隧穿的壓差要求；

其中，所述第一虛設字線與所述第一存儲串中與所述連接區相鄰的第一存儲單元相對應，所述第二虛設字線與所述第二存儲串中與所述連接區相鄰的第二存儲單元相對應。

在一個可選的實施例中，所述控制耦合到所述第二存儲串的第二虛設字線處于第二電壓，包括：

向所述第二虛設字線施加所述第二電壓；

或者，

控制所述第二虛設字線處于浮置狀態，處于所述浮置狀態的所述第二虛設字線保持所述第二電壓。

在一個可選的實施例中，所述第一存儲串上遠離所述連接區的一端連接有第一選擇管，所述第一存儲串通過所述第一選擇管與位線相連；

所述方法還包括：

控制所述第一選擇管處于浮置狀態，并向所述位線施加第三電壓，所述第三電壓為預設正電壓。

在一個可選的實施例中，所述第一存儲串上遠離所述連接區的一端連接有第二選擇管，所述第一存儲串通過所述第二選擇管與源線相連；

所述方法還包括：

控制所述第二選擇管處于浮置狀態，并向所述源線施加第四電壓，所述第四電壓為預設正電壓。

在一個可選的實施例中，所述方法還包括：

控制第二存儲字線處于第五電壓，所述第一電壓高于所述第五電壓，所述第二存儲字線與所述第二存儲串中用于存儲數據的第二存儲單元相對應。

在一個可選的實施例中，所述方法還包括：