[發(fā)明專利]全電池及基于全電池的硅基材料本征循環(huán)穩(wěn)定性評價方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111478877.8 | 申請日： | 2021-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN114280482A | 公開（公告）日： | 2022-04-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宋縉華;豐震河;張興浩;楊煒婧;郭向飛;顧海濤;王可;解晶瑩 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海空間電源研究所 |
| 主分類號： | G01R31/382 | 分類號： | G01R31/382;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/139;H01M4/1395;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人： | 范曉毅 |
| 地址： | 200245 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電池 基于 基材 循環(huán) 穩(wěn)定性 評價 方法 | ||
1.一種全電池，其特征在于，包括第一扣式半電池、第二扣式半電池和參比電極極耳，第一扣式半電池包含正極極片(14)和第一金屬鋰片(12)，第二扣式半電池包括負(fù)極極片(24)和第二金屬鋰片(22)，第一扣式半電池的背面和第二扣式半電池的背面相對，參比電極極耳位于第一扣式半電池的背面和第二扣式半電池的背面之間，并與作為參比電極的第一金屬鋰片(12)和第二金屬鋰片(22)聯(lián)接；第一扣式半電池的正面和第二扣式半電池的正面分別為全電池的正極和負(fù)極；第二扣式半電池中用于制備負(fù)極極片(24)的負(fù)極漿料包括硅基材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全電池，其特征在于，第一扣式半電池還包括第一殼蓋(15)，第一隔膜(13)和第一殼底(11)，第二扣式半電池還包括第二殼蓋(25)，第二隔膜(23)和第二殼底(21)；
第一扣式半電池由正面到背面順序排列第一殼蓋(15)，正極極片(14)，第一隔膜(13)，第一金屬鋰片(12)和第一殼底(11)；
第二扣式半電池由正面到背面順序排列第二殼蓋(25)，負(fù)極極片(24)，第二隔膜(23)，第二金屬鋰片(22)和第二殼底(21)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種全電池，其特征在于，還包括第一絕緣膜(4)和第二絕緣膜(5)，第一絕緣膜(4)貼于第一扣式半電池的背面，第二絕緣膜(5)貼于第二扣式半電池的背面，參比電極極耳(3)夾于第一絕緣膜(4)和第二絕緣膜(5)之間；所述第一絕緣膜(4)和第二絕緣膜(5)均為環(huán)形；
正極極片(14)、負(fù)極極片(24)、第一隔膜(13)和第二隔膜(23)上添加有電解液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全電池，其特征在于，所述硅基材料包括硅碳，硅氧或納米硅中的一種或一種以上混合物，還包括硅碳，硅氧或納米硅中的一種或一種以上混合物與石墨形成的混合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全電池，其特征在于，所述正極極片(14)和負(fù)極極片(24)的N/P比為1.0～1.8。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全電池，其特征在于，所述參比電極極耳為鎳帶，不銹鋼帶，銅帶或銀帶中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全電池，其特征在于，所述負(fù)極極片(24)的制備方法為，將硅基材料、導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑在溶劑中混合均勻制得負(fù)極漿料，將負(fù)極漿料涂覆于集流體銅箔上，經(jīng)烘烤、真空干燥制備得負(fù)極極片。
8.一種基于全電池的硅基材料本征循環(huán)穩(wěn)定性的評價方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1制作權(quán)利要求1-7任一項所述的全電池；
S2對全電池進(jìn)行循環(huán)性能測試，記錄每周循環(huán)的放電容量Q，以及放電過程中電池負(fù)極與參比電極之間的電位值VN；
S3根據(jù)每周循環(huán)的放電容量Q以及電位值VN得到容量微分曲線，所述容量微分曲線以Q為X軸數(shù)據(jù)，dQ/dVN為Y軸數(shù)據(jù)；
S4根據(jù)每周循環(huán)的放電容量Q計算全電池的放電容量保持率；
S5根據(jù)步驟S3所得容量微分曲線和S4所得放電容量保持率評價硅基材料在全電池工作狀態(tài)下的本征循環(huán)穩(wěn)定性。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種基于全電池的硅基材料本征循環(huán)穩(wěn)定性的評價方法，其特征在于，所述步驟S5中，根據(jù)步驟S3所得容量微分曲線圖中出現(xiàn)的相變峰得到硅基材料在放電過程中的電化學(xué)反應(yīng)相變?nèi)萘俊?/p>
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海空間電源研究所，未經(jīng)上海空間電源研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111478877.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
