[發(fā)明專利]一種晶圓的切割方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111478198.0 | 申請日： | 2021-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN114226984B | 公開（公告）日： | 2022-11-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉天建;田應(yīng)超;曹瑞霞;劉淑娟 | 申請（專利權(quán)）人： | 湖北三維半導(dǎo)體集成創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司;湖北江城實(shí)驗(yàn)室 |
| 主分類號： | B23K26/346 | 分類號： | B23K26/346;B23K26/38;B23K26/16;B23K26/70;B23K10/00;B23K101/36 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 切割 方法 | ||
1.一種晶圓的切割方法，其特征在于，包括：
提供一晶圓，所述晶圓包括襯底和位于所述襯底上的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層上形成有保護(hù)液；
采用第一激光切割工藝沿所述保護(hù)液的表面向下開槽，形成從所述保護(hù)液的表面延伸至所述介質(zhì)層內(nèi)的第一凹槽，所述第一凹槽的邊緣上方形成有熔渣；
采用第二激光切割工藝沿所述第一凹槽的底面向下開槽，形成連通所述第一凹槽的第二凹槽，且所述第一凹槽的橫向?qū)挾却笥谒龅诙疾鄣臋M向?qū)挾龋龅诙疾鄣倪吘壣戏叫纬捎腥墼?/p>
進(jìn)行等離子切割工藝沿所述第二凹槽的底面向下開槽，形成連通所述第二凹槽的第三凹槽，所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第三凹槽共同貫穿所述晶圓并構(gòu)成切割道，同時去除所述第一凹槽和所述第二凹槽的邊緣上方的熔渣；
其中，所述等離子切割工藝采用的工藝氣體包括SF6、C4F8、CF4、CHF3和O2。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，所述第一激光切割工藝采用的激光的線寬大于所述第二激光切割工藝采用的激光的線寬，以使所述第一凹槽的橫向?qū)挾却笥谒龅诙疾鄣臋M向?qū)挾取?/p>
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓的切割方法，其特征在于，所述第一凹槽的橫向?qū)挾葹?0微米至80微米；和/或，所述第二凹槽的寬度為8微米至20微米。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，所述第一激光切割工藝采用的激光的能量小于所述第二激光切割工藝采用的激光的能量，以使所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，所述等離子切割工藝采用Bosch工藝。
6.如權(quán)利要求5所述的晶圓的切割方法，其特征在于，所述等離子切割工藝包括第一階段和第二階段，所述第一階段中調(diào)整Bosch工藝參數(shù)以強(qiáng)化Bosch工藝的橫向刻蝕速率，所述第二階段中調(diào)整Bosch工藝參數(shù)以強(qiáng)化Bosch工藝的縱向刻蝕速率。
7.如權(quán)利要求6所述的晶圓的切割方法，其特征在于，在所述等離子切割工藝的第一階段中，采用增大C4F8的氣體流量或者降低縱向電場強(qiáng)度的方式，以強(qiáng)化橫向刻蝕去除所述第一凹槽的邊緣上方的熔渣。
8.如權(quán)利要求6所述的晶圓的切割方法，其特征在于，在所述等離子切割工藝的第二階段中，采用減小C4F8的氣體流量或者增加縱向電場強(qiáng)度的方式，以強(qiáng)化縱向刻蝕去除所述第二凹槽的邊緣上方的熔渣。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的晶圓的切割方法，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽至少共同貫穿所述介質(zhì)層。
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