[發(fā)明專利]一種金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111476850.5
• 申請日: 2021-12-02
• 公開（公告）號: CN114318216A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薄勇;申玉;袁磊;徐健;彭欽軍;江南;易劍;袁其龍
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所;中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02
• 代理公司: 北京中政聯(lián)科專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11489
• 代理人: 陳超

1.一種金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

將金剛石晶體置于真空腔室內(nèi)，并使所述金剛石晶體的表面達(dá)到預(yù)設(shè)溫度，所述預(yù)設(shè)溫度為500℃～1000℃；

在所述金剛石晶體的表面平鋪硅層，形成膜系結(jié)構(gòu)，在所述膜系結(jié)構(gòu)中，所述硅層與所述金剛石晶體相接觸的界面處形成碳化硅層；

在所述膜系結(jié)構(gòu)的表面上鍍目標(biāo)膜層，形成金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于，所述在所述金剛石晶體的表面平鋪硅層，形成膜系結(jié)構(gòu)的步驟中，平鋪1～5層硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于，在所述金剛石晶體的表面平鋪的硅層的厚度為0.1nm～10nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于，在鍍目標(biāo)膜層之前，對所述膜系結(jié)構(gòu)的表面進(jìn)行拋光處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于，在進(jìn)行所述拋光處理前，將所述膜系結(jié)構(gòu)冷卻至室溫狀態(tài)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于，所述在所述金剛石晶體的表面平鋪硅層，形成膜系結(jié)構(gòu)的步驟中，所述硅層與所述金剛石晶體完全反應(yīng)形成碳化硅層；

在所述金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜中，所述碳化硅層的厚度為

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于，所述在所述金剛石晶體的表面平鋪硅層，形成膜系結(jié)構(gòu)的步驟中，部分硅層與所述金剛石反應(yīng)生成碳化硅層；

在所述金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜中，所述碳化硅層厚度為所述硅層厚度為

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于，所述在所述金剛石晶體的表面平鋪硅層，形成膜系結(jié)構(gòu)的步驟中，通過離子束濺射或電子束蒸發(fā)工藝平鋪硅層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于，所述目標(biāo)膜層為氧化硅膜、氧化鉭膜和氧化鉿中的任一種。

10.一種金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜，其特征在于，所述金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜由權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的金剛石晶體的高結(jié)合力光學(xué)薄膜的制備方法制備形成。