[發明專利]液晶顯示面板及預充電方法、液晶顯示裝置

在審

• 申請號: 202111471885.X
• 申請日: 2021-12-02
• 公開（公告）號: CN114236921A
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 周滿城;盧集暉
• 申請（專利權）人: 重慶惠科金渝光電科技有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36
• 代理公司: 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662
• 代理人: 劉敏

本申請公開一種液晶顯示面板及預充電方法、液晶顯示裝置。液晶顯示面板包括N條掃描線、M條數據線以及N*M個像素點；N條掃描線中的每條掃描線均與M個像素點連接，M個像素點中的每個像素點還分別與M條數據線中的一條數據線對應連接；M個像素點中的每個像素點還與第一像素點所連接的掃描線和數據線連接，第一像素點為掃描線之前的任意一條掃描線所連接的M個像素點中的任意一個與每個像素點極性相同的像素點；當第一像素點所連接的掃描線輸出高電平電壓時，每個像素點開始預充電；當掃描線輸出高電平電壓時，每個像素點開始正常充電。本申請方案能在像素正常充電之前，先對像素進行預充電，使得像素電容電壓更飽和，顯示畫質更貼合實際。

技術領域

本申請涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種液晶顯示面板及預充電方法、液晶顯示裝置。

背景技術

隨著液晶面板行業的發展，液晶面板逐漸向更高分辨率、更大尺寸發展。但隨著液晶面板的分辨率越來越高，尺寸越來越大，特別是縱向的行數越來越多，分配到液晶顯示面板的每一行像素的時間越來越短，即每個像素被分配到的充電時間越來越短。因此，導致現有的液晶顯示面板存在著面板中像素充電不足的情況，使得液晶顯示面板的顯示效果不佳。

申請內容

為解決像素充電不足所導致的顯示效果不佳的技術問題，本申請實施例提供一種液晶顯示面板及預充電方法、液晶顯示裝置。

本申請實施例的技術方案是這樣實現的：

本申請實施例提供了一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括：

N條掃描線、M條數據線以及N*M個像素點；其中，所述N條掃描線中的每條掃描線均與M個像素點連接，所述M個像素點中的每個像素點還分別與M條數據線中的一條數據線對應連接；所述M個像素點中的每個像素點還與第一像素點所連接的掃描線和數據線連接，所述第一像素點為所述掃描線之前的任意一條掃描線所連接的M個像素點中的任意一個與所述每個像素點極性相同的像素點；其中，N和M分別為大于1的自然數。

上述方案中，所述第一像素點為所述掃描線的上一掃描線所連接的M個像素點中的任意一個與所述每個像素點極性相同的像素點。

上述方案中，所述每個像素點包括第一主動元件、第二主動元件、液晶電容和存儲電容，所述第一主動元件的柵極與所述N條掃描線中一條掃描線對應連接，所述第一主動元件的源極和漏極中的任意一個與所述M條數據線中的一條數據線對應連接，所述第一主動元件的源極和漏極中的另外一個還與所述液晶電容的像素電極和所述存儲電容的像素電極連接；所述第二主動元件的柵極與所述第一像素點所連接的掃描線連接，所述第二主動元件的源極和漏極中的任意一個還與所述第一像素點所連接的數據線連接，所述第二主動元件的源極和漏極中的的另外一個還與所述液晶電容的像素電極和所述存儲電容的像素電極連接。

上述方案中，所述第一主動元件包括薄膜場效應晶體管(Thin Film Transistor，TFT)或金屬-氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，MOSFET)。

上述方案中，所述第二主動元件包括TFT或MOSFET。

本申請實施例還提供了一種基于上述任意一項液晶顯示面板的預充電方法，所述預充電方法包括：當所述第一像素點所連接的掃描線輸出高電平電壓時，所述每個像素點開始預充電；當所述掃描線輸出高電平電壓時，所述每個像素點開始正常充電。

上述方案中，當所述第一像素點為所述掃描線的上一掃描線所連接的M個像素點中的任意一個與所述每個像素點極性相同的像素點時，所述預充電方法包括：當所述上一掃描線輸出高電平電壓時，所述每個像素點開始預充電；當所述掃描線輸出高電平電壓時，所述每個像素點開始正常充電。