[發(fā)明專利]一種模擬X射線輻照衛(wèi)星產(chǎn)生電磁場的系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111469452.0
• 申請日: 2021-12-03
• 公開（公告）號: CN114167148A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 欒崇彪;劉宏偉;何泱;袁建強(qiáng);馬勛;李洪濤;肖金水;王凌云
• 申請（專利權(quán)）人: 中國工程物理研究院流體物理研究所
• 主分類號: G01R29/08
• 分類號: G01R29/08;G01R31/00
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 張楊

1.一種模擬X射線輻照衛(wèi)星產(chǎn)生電磁場的系統(tǒng)，其特征在于，包括大電流脈沖源(1)、錐形傳輸線以及衛(wèi)星太陽能帆板(2)；所述錐形傳輸線以電容耦合的方式將所述大電流脈沖源(1)輸出的脈沖電流信號注入到所述衛(wèi)星太陽能帆板(2)中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種模擬X射線輻照衛(wèi)星產(chǎn)生電磁場的系統(tǒng)，其特征在于，所述錐形傳輸線包括注入平板(3)、電極平板(4)以及多根連接電纜(5)；任意一根所述連接電纜(5)的一端與所述注入平板(3)連接，另一端與所述電極平板(4)連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種模擬X射線輻照衛(wèi)星產(chǎn)生電磁場的系統(tǒng)，其特征在于，所述連接電纜(5)連接于所述注入平板(3)的一側(cè)與所述衛(wèi)星太陽能帆板(2)的主電纜入口位置對應(yīng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種模擬X射線輻照衛(wèi)星產(chǎn)生電磁場的系統(tǒng)，其特征在于，所述連接電纜(5)設(shè)置為4根。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種模擬X射線輻照衛(wèi)星產(chǎn)生電磁場的系統(tǒng)，其特征在于，所述注入平板(3)的耦合注入電容值設(shè)置為200pF。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種模擬X射線輻照衛(wèi)星產(chǎn)生電磁場的系統(tǒng)，其特征在于，所述錐形傳輸線的阻抗設(shè)置為170Ω。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的一種模擬X射線輻照衛(wèi)星產(chǎn)生電磁場的系統(tǒng)，其特征在于，還包括脈沖形成網(wǎng)絡(luò)(6)，所述大電流脈沖源(1)輸出的電流信號經(jīng)所述脈沖形成網(wǎng)絡(luò)(6)整形后傳輸至所述錐形傳輸線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種模擬X射線輻照衛(wèi)星產(chǎn)生電磁場的系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)所述大電流脈沖源(1)的電壓大于或等于10kV時，所述脈沖形成網(wǎng)絡(luò)(6)中的電阻和電容分別設(shè)置為30Ω和100pF。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種模擬X射線輻照衛(wèi)星產(chǎn)生電磁場的系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)所述大電流脈沖源(1)的電壓小于10kV時，所述脈沖形成網(wǎng)絡(luò)(6)中的電阻和電容分別設(shè)置為1000Ω和100pF。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種模擬X射線輻照衛(wèi)星產(chǎn)生電磁場的系統(tǒng)，其特征在于，還包括接收器(7)，所述接收器(7)用于接收星體注入電流；所述星體注入電流由所述衛(wèi)星太陽能帆板(2)在所述脈沖電流信號的作用下產(chǎn)生。