[發(fā)明專利]基于事件觸發(fā)的RBF-PID城市固廢焚燒過(guò)程爐膛溫度控制方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111468138.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114296489B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 喬俊飛;何海軍;蒙西;湯健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G05D23/20 | 分類號(hào): | G05D23/20 |
| 代理公司: | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203 | 代理人: | 劉萍 |
| 地址: | 100124 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 事件 觸發(fā) rbf pid 城市 焚燒 過(guò)程 爐膛 溫度 控制 方法 | ||
1.一種基于事件觸發(fā)的RBF-PID城市固廢焚燒過(guò)程爐膛溫控制方法,其特征在于步驟如下:
步驟1:初始化參數(shù)
初始化控制器參數(shù),包括RBF網(wǎng)絡(luò)隱含層神經(jīng)元個(gè)數(shù),高斯函數(shù)的中心,寬度及輸出權(quán)值;PID控制器參數(shù)以及固定事件觸發(fā)的閾值;
步驟2:計(jì)算控制器的輸入
計(jì)算當(dāng)前時(shí)刻爐膛溫度的跟蹤誤差e(k)和爐膛溫度誤差變化量ec(k),計(jì)算如下:
e(k)=y(tǒng)d(k)-y(k) (1)
ec(k)=e(k)-e(k-1) (2)
式中:e(k)和e(k-1)分別表示k時(shí)刻和k-1時(shí)刻的爐膛溫度控制誤差;ec(k)表示k時(shí)刻的爐膛溫度誤差變化量;yd(k)和y(k)表示k時(shí)刻控制過(guò)程中爐膛溫度的期望值及控制系統(tǒng)的實(shí)際輸出值;
步驟3:計(jì)算控制器輸出
控制器采用增量式PID,控制器輸出為:
u(k)=u(k-1)+Δu(k) (3)
式中u(k)和u(k-1)分別表示k時(shí)刻和k-1時(shí)刻的控制器輸出;Δu(k)為k時(shí)刻控制量的增量,計(jì)算如下:
Δu(k)=Kp[e(k)-e(k-1)]+Kie(k)+Kd[e(k)-2e(k-1)+e(k-2)] (4)
式中,Kp、Ki、Kd為PID控制器參數(shù);e(k)、e(k-1)和e(k-2)分別表示k時(shí)刻、k-1時(shí)刻和k-2時(shí)刻的跟蹤誤差;
步驟4:判斷事件觸發(fā)條件,若滿足事件觸發(fā),則更新控制量
事件觸發(fā)條件設(shè)計(jì)如下:
kt+1={|Δu(k)|≥M} (6)
式中M為設(shè)定的事件觸發(fā)閾值;u(kt)是t觸發(fā)序列下的實(shí)際控制量,它將從前一個(gè)觸發(fā)序列一直保持直到下一個(gè)觸發(fā)序列才更新為u(kt+1);Δu(k)為k時(shí)刻控制量增量;kt表示t觸發(fā)序列下的時(shí)刻值;kt+1表示t+1觸發(fā)序列下的時(shí)刻值;
步驟5:計(jì)算當(dāng)前k時(shí)刻RBF網(wǎng)絡(luò)輸出ym(k)
RBF網(wǎng)絡(luò)主要由輸入層、隱含層以及輸出層組成,計(jì)算方式如下:
RBF網(wǎng)絡(luò)隱含層的高斯函數(shù)為
式中x為輸入向量,hj(x)表示輸入為x時(shí)隱含層第j個(gè)神經(jīng)元的高斯函數(shù)值,cj和σj分別隱含層第j個(gè)神經(jīng)元高斯函數(shù)的中心和寬度,m為隱含層神經(jīng)元個(gè)數(shù);
RBF網(wǎng)絡(luò)輸出計(jì)算如下:
式中wj(k)為k時(shí)刻第j個(gè)網(wǎng)絡(luò)輸出權(quán)重,ym(k)為RBF網(wǎng)絡(luò)k時(shí)刻的輸出值,m為隱含層神經(jīng)元個(gè)數(shù)hj(x)表示輸入為x時(shí)隱含層第j個(gè)神經(jīng)元的高斯函數(shù)值;
步驟6:計(jì)算
式wj(k)為k時(shí)刻第j個(gè)網(wǎng)絡(luò)輸出權(quán)重,hj(k)為k時(shí)刻隱含層第j個(gè)神經(jīng)元的高斯函數(shù)值,cj(k)和σj(k)分別表示k時(shí)刻隱含層第j個(gè)神經(jīng)元高斯函數(shù)的中心和寬度,ym(k)為RBF網(wǎng)絡(luò)k時(shí)刻的輸出值,m為隱含層神經(jīng)元個(gè)數(shù),Δu(k)為k時(shí)刻控制量增量;
步驟7:采用梯度下降法計(jì)算PID控制器參數(shù)增量
用誤差平方函數(shù)作為性能指標(biāo):
式中:E(k)表示k時(shí)刻的性能指標(biāo);e(k)表示k時(shí)刻的爐膛溫度控制誤差;yd(k)和y(k)表示控制過(guò)程中k時(shí)刻的爐膛溫度的期望值及控制系統(tǒng)的實(shí)際輸出值;
采用梯度下降法動(dòng)態(tài)調(diào)整PID控制器參數(shù)增量,計(jì)算如下:
式中e(k)、e(k-1)和e(k-2)分別表示k時(shí)刻、k-1時(shí)刻和k-2時(shí)刻的跟蹤誤差;ΔKp(k)、ΔKi(k)、ΔKd(k)為k時(shí)刻的PID參數(shù)增量;ym(k)為k時(shí)刻RBF網(wǎng)絡(luò)輸出;ηp、ηi、ηd分別為比例、積分、微分參數(shù)的學(xué)習(xí)率;E(k)表示k時(shí)刻的性能指標(biāo);
步驟8:更新PID控制器參數(shù)
Kp(k)=Kp(k-1)+ΔKp(k)+αC2(Kp(k-1)-Kp(k-2)) (14)
Ki(k)=Ki(k-1)+ΔKi(k)+αC2(Ki(k-1)-Ki(k-2)) (15)
Kd(k)=Kd(k-1)+ΔKd(k)+αC2(Kd(k-1)-Kd(k-2)) (16)
式中Kp(k)、Kp(k-1)和Kp(k-2)分別表示k時(shí)刻、k-1時(shí)刻和k-2時(shí)刻的比例參數(shù);Ki(k)、Ki(k-1)和Ki(k-2)分別表示k時(shí)刻、k-1時(shí)刻和k-2時(shí)刻的積分參數(shù);Kd(k)、Kd(k-1)和Kd(k-2)分別表示k時(shí)刻、k-1時(shí)刻和k-2時(shí)刻的微分參數(shù);αC是動(dòng)量因子;ΔKp(k)、ΔKi(k)、ΔKd(k)為k時(shí)刻PID參數(shù)增量;
步驟9:調(diào)整RBF網(wǎng)絡(luò)參數(shù),即高斯函數(shù)中心、寬度和網(wǎng)絡(luò)權(quán)值;
定義辨識(shí)器的性能指標(biāo)為:
式中y(k)表示控制過(guò)程中k時(shí)刻爐膛溫度的實(shí)際輸出值;ym(k)為k時(shí)刻RBF網(wǎng)絡(luò)輸出;
步驟9.1:中心和寬度更新
式中,η是學(xué)習(xí)率,η∈[0,1];J(k)為k時(shí)刻的性能指標(biāo);hj(x)表示輸入為x時(shí)隱含層第j個(gè)神經(jīng)元的高斯函數(shù)值,cj(k)和σj(k)分別表示k時(shí)刻隱含層第j個(gè)神經(jīng)元高斯函數(shù)的中心和寬度;x為輸入向量;y(k)表示k時(shí)刻控制過(guò)程中爐膛溫度的實(shí)際輸出值;ym(k)為k時(shí)刻RBF網(wǎng)絡(luò)輸出值;wj(k)為k時(shí)刻第j個(gè)網(wǎng)絡(luò)輸出權(quán)重;
步驟9.2:權(quán)值更新
采用遞歸最小二乘算法,公式如下:
式中:K(k)、P(k)分別表示k時(shí)刻遞歸最小二乘參數(shù)值,I為單位矩陣;w(k)為k時(shí)刻的網(wǎng)絡(luò)輸出權(quán)重;h(k)為k時(shí)刻的隱含層輸出值;hT(k)為k時(shí)刻隱含層輸出的轉(zhuǎn)置。
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