[發明專利]一種集成LC濾波器及其制造方法

在審

• 申請號: 202111465493.2
• 申請日: 2021-12-03
• 公開（公告）號: CN114157257A
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 伍榮翔
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H03H1/00
• 分類號: H03H1/00;H03H3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種集成LC濾波器，其特征在于，包括襯底、第一導電層、第一介質層和第二導電層；所述襯底的第一表面開設有至少一個第一凹槽，所述第一導電層、第一介質層、第二導電層依次設置于已形成所述至少一個第一凹槽的所述襯底的第一表面；所述第一導電層、所述第一介質層和所述第二導電層形成的疊層結構為所述集成LC濾波器提供電容；所述至少一個第一凹槽包括一個連續線條形第一凹槽，所述連續線條形第一凹槽內設置的所述第二導電層形成與所述連續線條形第一凹槽匹配的導電繞組，所述導電繞組為所述集成LC濾波器提供電感。

2.根據權利要求1所述的集成LC濾波器，其特征在于，所述第一導電層在包括所述至少一個第一凹槽表面的所述襯底的第一表面連續，所述第二導電層設置于所述至少一個第一凹槽內部。

3.根據權利要求1所述的集成LC濾波器，其特征在于，所述至少一個第一凹槽的截面為矩形或者梯形。

4.根據權利要求1所述的集成LC濾波器，其特征在于，所述至少一個第一凹槽的深度大于開口寬度。

5.根據權利要求1所述的集成LC濾波器，其特征在于，所述襯底為高阻硅，所述第一導電層為重摻雜的硅，所述第一介質層為氧化硅、氮化硅或者高K介質，所述第二導電層為銅。

6.根據權利要求1所述的集成LC濾波器，其特征在于，所述第二導電層完全填充所述至少一個第一凹槽。

7.根據權利要求1所述的集成LC濾波器，其特征在于，所述連續線條形第一凹槽為螺旋形第一凹槽。

8.根據權利要求1所述的集成LC濾波器，其特征在于，所述集成LC濾波器的第一端口耦合到所述導電繞組的一端和所述第一導電層之間，所述集成LC濾波器的第二端口耦合到所述導電繞組的另一端和所述第一導電層之間。

9.根據權利要求1所述的集成LC濾波器，其特征在于，所述第一凹槽還包括一組非連續第一凹槽，所述一組非連續第一凹槽內設置的所述第一導電層、第一介質層、第二導電層形成的疊層結構提供集成LC濾波器的電容。

10.一種集成LC濾波器的制造方法，包括以下步驟：

在半導體襯底上形成從襯底表面延伸至內部的第一凹槽；

在包括所述第一凹槽表面的所述襯底表面引入高濃度摻雜雜質形成第一導電層；

在所述第一導電層表面采用原子層沉積等化學氣相沉積方法或熱氧化方法形成第一介質層；

在所述第一介質層表面濺射種子層，然后電鍍形成第二導電層；

研磨、化學機械拋光或者刻蝕，去除所述第一凹槽區域以外的第二導電層，保留位于凹槽內的第二導電層；

在所述至少一個第一凹槽區域以外形成第一介質層的刻蝕窗口，在刻蝕窗口處露出第一導電層以便結合后續工藝進行電學連接。