[發明專利]三維存儲器器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202111465280.X
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN114446981A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 張鵬飛;陳明;蔡正義;詹冬武
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11548
• 分類號: H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L21/60;H01L25/18;H01L23/00;H01L23/60
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

1.一種三維存儲器器件，其特征在于，包括：

設置在第一襯底上的存儲器件；

設置在第二襯底上外圍器件；

位于所述存儲器件外圍的隔離環；

設置在所述第一襯底上的外圍接觸結構；其中，所述外圍接觸結構與位于所述外圍器件中的外圍電路接觸結構導電連接；

設置在所述第一襯底上，且位于所述隔離環與所述外圍接觸結構之間的至少一個虛設外圍接觸結構。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器器件，其特征在于，所述外圍接觸結構包括多個，多個所述外圍接觸結構包括具有第一數目的外圍接觸結構的外圍接觸結構列；

所述虛設外圍接觸結構包括多個，多個所述虛設外圍接觸結構包括具有第二數目的虛設外圍接觸結構的虛設外圍接觸結構列；

其中，所述第一數目和所述第二數目為正整數。

3.根據權利要求2所述的三維存儲器器件，其特征在于，所述虛設外圍接觸結構列與所述外圍接觸結構列之間的距離為第一距離，所述虛設外圍接觸結構列與所述隔離環之間的距離為第二距離，所述第一距離大于所述第二距離。

4.根據權利要求2所述的三維存儲器器件，其特征在于，所述虛設外圍接觸結構列包括一個虛設外圍接觸結構列；所述隔離環包括第一隔離環及第二隔離環；所述外圍接觸結構列包括第一外圍接觸結構列及第二外圍接觸結構列。

5.根據權利要求2所述的三維存儲器器件，其特征在于，所述虛設外圍接觸結構列包括第一虛設外圍接觸結構列及第二虛設外圍接觸結構列；所述隔離環包括第一隔離環及第二隔離環；所述外圍接觸結構列包括第一外圍接觸結構列及第二外圍接觸結構列。

6.根據權利要求5所述的三維存儲器器件，其特征在于，所述第一外圍接觸結構列與所述第一隔離環之間的距離為d，所述第一虛設外圍接觸結構列與所述第一隔離環之間的距離為0.25d，所述第二虛設外圍接觸結構列與所述第一隔離環之間的距離為0.2d，所述第一隔離環與所述存儲器件的臺階結構之間的距離為1.3d，所述第二隔離環與所述臺階結構之間的距離為1.27d，所述第二外圍接觸結構列在所述第一外圍接觸結構列與所述臺階結構之間。

7.根據權利要求1所述的三維存儲器器件，其特征在于，所述外圍接觸結構包括第一材料；所述虛設外圍接觸結構包括第二材料；其中，所述第一材料與所述第二材料均為導電材料。

8.根據權利要求1所述的三維存儲器器件，其特征在于，所述外圍接觸結構包括第一材料；所述虛設外圍接觸結構包括第二材料；其中，所述第一材料為導電材料，所述第二材料為介電材料。

9.根據權利要求1所述的三維存儲器器件，其特征在于，所述存儲器件包括臺階結構，其中，所述外圍接觸結構位于所述臺階結構以及所述隔離環之間。

10.根據權利要求1所述的三維存儲器器件，其特征在于，所述第一襯底包括：用于形成所述存儲器件的表面以及與所述形成所述存儲器件的表面對置的第一表面；所述三維存儲器器件還包括電引出結構；所述電引出結構設置在所述第一表面上。

11.一種三維存儲器器件的制造方法，其特征在于，包括：

在初始第一襯底上分別形成存儲器件、包圍所述存儲器件的隔離環、外圍接觸結構以及虛設外圍接觸結構；其中，所述虛設外圍接觸結構位于所述隔離環與所述外圍接觸結構之間；

在第二襯底上形成外圍器件；

其中，所述外圍接觸結構與位于所述外圍器件中的外圍電路接觸結構導電連接。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述在初始第一襯底上分別形成外圍接觸結構以及虛設外圍接觸結構，包括：

在所述初始第一襯底上形成多個所述外圍接觸結構及多個所述虛設外圍接觸結構；其中，所述多個外圍接觸結構包括至少一個外圍接觸結構列；所述多個虛設外圍接觸結構包括至少一個虛設外圍接觸結構列。