[發明專利]一種低漏電放大器偏置電路

有效

• 申請號: 202111464366.0
• 申請日: 2021-12-03
• 公開（公告）號: CN113890491B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 馬昊澤;李南;陸建華
• 申請（專利權）人: 南京燧銳科技有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F1/30;H03F3/16
• 代理公司: 北京德崇智捷知識產權代理有限公司 11467
• 代理人: 王金雙

1.一種低漏電放大器偏置電路，其特征在于，包括，共源極偏置電路和多個共柵極偏置電路，其中，

所述共源極偏置電路，為放大器的共源極晶體管提供共源偏置電壓；

所述共柵極偏置電路，為放大器的共柵晶體管提供共柵偏置電壓；

在放大器關斷狀態下，所述共源極偏置電路將所述共源偏置電壓拉低到地，所述共柵極偏置電路將所述共柵偏置電壓拉低至關斷電壓；

在放大器開啟狀態下，所述共源極偏置電路將所述共源偏置電壓與地之間斷開，所述共柵極偏置電路將所述共柵偏置電壓拉至開啟柵壓；

所述共源極偏置電路，包括，共源偏置晶體管、電流源、隔離電阻、隔離電容、第一開關，以及第二開關，其中，

所述共源偏置晶體管的漏極、柵極、所述第一開關的一端、所述第二開關的一端、所述隔離電阻的一端，以及所述隔離電容的一端相連接；

所述第一開關的另一端通過所述電流源連接邏輯電源；

所述第二開關的另一端、所述共源偏置晶體管的源極與地相連接；

所述隔離電阻另一端與放大器的共源晶體管的柵極相連接；

所述隔離電容另一端接地；

所述第一開關的使能輸入端連接使能信號，所述第二開關的使能輸入端連接非使能信號。

2.根據權利要求1所述的低漏電放大器偏置電路，其特征在于，所述共柵極偏置電路，包括，階梯信號發生器和選通器，其中，

所述階梯信號發生器將生成的共柵偏置電壓發送給所述選通器的輸入端，所述選通器的輸出端與所述放大器的共柵晶體管的柵極相連接，為放大器的共柵晶體管提供共柵偏置電壓。

3.根據權利要求2所述的低漏電放大器偏置電路，其特征在于，所述階梯信號發生器，包括多個相同阻值的電阻，所述多個相同阻值的電阻串聯對邏輯電源分壓，將中間節點抽出作為共柵偏置電壓。

4.根據權利要求2所述的低漏電放大器偏置電路，其特征在于，所述選通器，包括兩組由使能信號控制的NMOS和PMOS的開關。

5.根據權利要求2所述的低漏電放大器偏置電路，其特征在于，

在放大器關斷狀態下，使能信號為低電平：

所述第一開關斷開，所述電流源關閉，所述第二開關閉合，將共源偏置電壓拉低到地；

所述放大器的共柵晶體管柵極的偏置電壓通過所述選通器被拉低至關斷電壓；

在放大器開啟狀態下，使能信號為高電平：

所述第一開關閉合，所述電流源打開，所述第二開關打開，將共源偏置電壓與地之間斷開，形成電流鏡建立放大器偏置；

放大器的共柵晶體管柵極的偏置電壓通過所述選通器由階梯電壓信號發生器提供共柵電壓。

6.一種低漏電放大器，其特征在于，所述低漏電放大器，包括，權利要求1-5任一項所述的低漏電放大器偏置電路。

7.一種放大器芯片，其特征在于，包括權利要求6所述的低漏電放大器。