[發明專利]一種三硒化二銻硅基電調光開關、光開關陣列及芯片

在審

• 申請號: 202111463034.0
• 申請日: 2021-12-02
• 公開（公告）號: CN114137745A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 程唐盛;李璇
• 申請（專利權）人: 程唐盛;李璇
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;G02F1/21
• 代理公司: 成都頂峰專利事務所(普通合伙) 51224
• 代理人: 曹源

1.一種三硒化二銻硅基電調光開關，其特征在于：包括第一輸入光波導(1)、1×2分支光波導(2)、干涉臂光波導(3)、參考臂光波導(4)、定向耦合器(6)、第一輸出光波導(7)和第二輸出光波導(8)，所述第一輸入光波導(1)的輸出端連接1×2分支光波導(2)的輸入端，所述1×2分支光波導(2)的兩個輸出端分別連接干涉臂光波導(3)和參考臂光波導(4)的輸入端，所述干涉臂光波導(3)和參考臂光波導(4)的輸出端分別連接定向耦合器(6)的兩個輸入端，所述定向耦合器(6)的兩個輸出端分別連接第一輸出光波導(7)和第二輸出光波導(8)的輸入端，所述干涉臂光波導(3)的其中一段表面覆蓋有第一相變材料層(5)，所述第一相變材料層(5)為三硒化二銻材料層，所述第一相變材料層(5)上連接有電極。

2.根據權利要求1所述的一種三硒化二銻硅基電調光開關，其特征在于：所述第一相變材料層(5)的表面覆蓋有防氧化層，所述防氧化層為二氧化硅材料層。

3.根據權利要求1所述的一種三硒化二銻硅基電調光開關，其特征在于：所述電極包括正電極和負電極，用于向第一相變材料層(5)通入納秒級的電脈沖。

4.一種三硒化二銻硅基電調光開關，其特征在于：包括微環光波導(9)以及分別與微環光波導(9)耦合的第二輸入光波導(10)和第三輸出光波導(11)，所述第二輸入光波導(10)和第三輸出光波導(11)分別置于微環光波導(9)的兩側，所述微環光波導(9)的其中一段表面覆蓋有第二相變材料層(12)，所述第二相變材料層(12)為三硒化二銻材料層，所述第二相變材料層(12)上連接有電極。

5.根據權利要求4所述的一種三硒化二銻硅基電調光開關，其特征在于：所述第二相變材料層(12)的表面覆蓋有防氧化層，所述防氧化層為二氧化硅材料層。

6.根據權利要求4所述的一種三硒化二銻硅基電調光開關，其特征在于：所述電極包括正電極和負電極，用于向第二相變材料層(12)通入納秒級的電脈沖。

7.一種低功耗硅基相變電調光開關陣列，其特征在于：所述光開關陣列由若干權利要求1-3任一所述的三硒化二銻硅基電調光開關級聯組成。

8.一種低功耗硅基相變電調光開關陣列，其特征在于：所述光開關陣列由若干權利要求4-6任一所述的三硒化二銻硅基電調光開關級聯組成。

9.一種低功耗硅基相變電調光開關芯片，其特征在于：包括摻雜硅襯底，所述摻雜硅襯底上集成有權利要求7或8所述的低功耗硅基相變電調光開關陣列。