[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器系統(tǒng)以及控制方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111457862.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115576873A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-01-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 菅野伸一;江坂直紀(jì) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F13/16 | 分類號(hào): | G06F13/16;G06F12/02 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲(chǔ)器 系統(tǒng) 以及 控制 方法 | ||
本發(fā)明的一實(shí)施方式要解決的課題是提供一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)以及控制方法,能夠高效地利用非易失性存儲(chǔ)器所含的各個(gè)塊。控制器構(gòu)建多個(gè)塊組。多個(gè)塊組至少包含使用第一類型塊組構(gòu)成的第一塊組、和使用第二類型塊組構(gòu)成的第二塊組。第一類型塊組包含通過(guò)從多個(gè)的裸片或者平面中分別選擇一個(gè)以上的數(shù)量相同的非不良?jí)K而得的多個(gè)非不良?jí)K。第二類型塊組包含與第一類型塊組所含的非不良?jí)K相同數(shù)量的非不良?jí)K。第二類型塊組所含的每一個(gè)裸片或者每一個(gè)平面的非不良?jí)K的數(shù)量在多個(gè)的裸片或者平面之間不同。
相關(guān)申請(qǐng)
本申請(qǐng)以第2021-102382號(hào)日本專利申請(qǐng)(申請(qǐng)日:2021年6月21日)為基礎(chǔ)并對(duì)其主張優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)引用該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及具備非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器系統(tǒng)以及控制非易失性存儲(chǔ)器的技術(shù)。
背景技術(shù)
近年來(lái),具備非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器系統(tǒng)已廣泛普及。作為這種存儲(chǔ)器系統(tǒng)的一種,已知有具備NAND型閃存的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)。
在如SSD那樣的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中,存在分別從不同的裸片(die)選擇的多個(gè)塊(多個(gè)物理塊)被用作數(shù)據(jù)的寫入或者讀出用的訪問(wèn)單位的情況。在該情況下,當(dāng)在存儲(chǔ)器系統(tǒng)搭載的裸片之間的不良?jí)K數(shù)的偏差較大時(shí),有時(shí)盡管屬于并非不良的非不良?jí)K,但實(shí)際上不被利用的塊的數(shù)量增加。
因而,在存儲(chǔ)器系統(tǒng)中,需要實(shí)現(xiàn)能夠高效地利用非易失性存儲(chǔ)器所含的各個(gè)塊的新技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實(shí)施方式要解決的課題是提供一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)以及控制方法,能夠高效地利用非易失性存儲(chǔ)器所含的各個(gè)塊。
根據(jù)一實(shí)施方式,能夠連接主機(jī)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)具備:非易失性存儲(chǔ)器,包含能夠并列動(dòng)作的多個(gè)裸片或者能夠并列動(dòng)作的多個(gè)平面;控制器,構(gòu)成為被電連接于所述非易失性存儲(chǔ)器,并控制所述非易失性存儲(chǔ)器。所述多個(gè)裸片或者所述多個(gè)平面分別包含多個(gè)塊。所述多個(gè)塊分別是數(shù)據(jù)刪除動(dòng)作的單位。所述控制器由所述多個(gè)裸片或者所述多個(gè)平面構(gòu)建分別包含多個(gè)塊的多個(gè)塊組。所述控制器響應(yīng)從所述主機(jī)接收到用于向所述多個(gè)塊組中的一個(gè)塊組寫入數(shù)據(jù)的寫入指令,向所述一個(gè)塊組寫入與所述接收到的寫入指令建立了關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)。所述多個(gè)塊組至少包含使用第一類型塊組構(gòu)成的第一塊組、和使用第二類型塊組構(gòu)成的第二塊組。所述第一類型塊組包含通過(guò)從所述多個(gè)裸片或者所述多個(gè)平面中分別選擇一個(gè)以上的數(shù)量相同的非不良?jí)K而得的多個(gè)非不良?jí)K。所述第二類型塊組包含從所述多個(gè)裸片或者所述多個(gè)平面中選擇的、與所述第一類型塊組所含的所述多個(gè)非不良?jí)K相同數(shù)量的多個(gè)非不良?jí)K,并且所述第二類型塊組所含的每一個(gè)裸片或者每一個(gè)平面的非不良?jí)K的數(shù)量在所述多個(gè)裸片或者所述多個(gè)平面之間不同。
附圖說(shuō)明
圖1是表示有關(guān)實(shí)施方式的包含存儲(chǔ)器系統(tǒng)與主機(jī)的信息處理系統(tǒng)的構(gòu)成例的框圖。
圖2是表示在有關(guān)實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中使用的多個(gè)溝道與多個(gè)NAND型閃存裸片的關(guān)系的例子的框圖。
圖3是表示在有關(guān)實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中使用的多個(gè)溝道與多個(gè)NAND型閃存裸片的關(guān)系的另一例的框圖。
圖4是表示根據(jù)NVMe標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的分區(qū)命名空間的構(gòu)成例的圖。
圖5是表示在有關(guān)實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中執(zhí)行的寫入指示器的更新動(dòng)作的圖。
圖6是表示在有關(guān)實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中管理的多個(gè)塊組的第一構(gòu)成例的圖。
圖7是表示在有關(guān)實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中管理的多個(gè)塊組的第二構(gòu)成例的圖。
圖8是表示在有關(guān)實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中管理的多個(gè)塊組的第三構(gòu)成例的圖。
圖9是表示在有關(guān)實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中管理的多個(gè)塊組的第四構(gòu)成例的圖。
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