[發(fā)明專利]仿金合金及其制備方法和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111456050.7
• 申請日: 2021-12-02
• 公開（公告）號: CN113862584B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚志
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢中維創(chuàng)發(fā)工業(yè)研究院有限公司
• 主分類號: C22C45/00
• 分類號: C22C45/00;C23C14/18;C23C14/20;C23C14/35
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 黎金娣

1.一種仿金合金，其特征在于，其化學(xué)式為Zr_xSi_yNi_zCu_1-x-y-z，x、y和z為原子百分比，x、y和z滿足：0.05≤x≤0.13，0.02≤y≤0.10，0.02≤z≤0.05。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的仿金合金，其特征在于，x、y和z滿足：0.05≤x≤0.10，0.02≤y≤0.05，0.02≤z≤0.05。

3.一種仿金合金的制備方法，其特征在于，通過物理氣相沉積的方式制備所述仿金合金；

所述仿金合金的化學(xué)式為Zr_xSi_yNi_zCu_1-x-y-z，x、y和z為原子百分比，x、y和z滿足：0.05≤x≤0.13，0.02≤y≤0.10，0.02≤z≤0.05。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的仿金合金的制備方法，其特征在于，所述物理氣相沉積的方式為磁控濺射鍍膜，通過磁控濺射鍍膜制備所述仿金合金包括：

提供基體、Zr源、Si源、Ni源和Cu源，通入工作氣體，在所述基體上濺射沉積所述仿金合金。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的仿金合金的制備方法，其特征在于，所述Zr源為Zr靶，所述Si源為Si靶，所述Ni源和Cu源為Ni-Cu合金靶，所述工作氣體為Ar。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的仿金合金的制備方法，其特征在于，通過磁控濺射鍍膜制備所述仿金合金的工藝參數(shù)包括：

濺射的溫度為150℃-330℃，所述Ar的氣壓為0.5Pa-0.8Pa；和/或

所述Zr靶的功率密度為0.5W/cm²-3W/cm²；和/或

所述Si靶的功率密度為0.1W/cm²-2W/cm²；和/或

所述Ni-Cu合金靶的功率密度為4.5W/cm²-6.5W/cm²；和/或

所述基體的偏壓為-150V-（-50）V；和/或

所述Ar的氣體流量為25sccm-45sccm；和/或

濺射沉積的時間為10min-15min。

7.根據(jù)權(quán)利要求3至6任一項所述的仿金合金的制備方法，其特征在于，在所述基體上濺射沉積所述仿金合金的步驟之前，還包括在所述基體上沉積剝離層的步驟；

以及在所述基體上濺射沉積所述仿金合金的步驟之后，還包括將所述仿金合金和所述剝離層分離，制得薄膜狀的仿金合金的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的仿金合金的制備方法，其特征在于，在將所述仿金合金和所述剝離層分離，制得薄膜狀的仿金合金的步驟之后，還包括對所述薄膜狀的仿金合金進(jìn)行粉碎處理制備粉料狀仿金合金的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的仿金合金的制備方法，其特征在于，所述薄膜狀的仿金合金的厚度為150nm-3000nm，所述粉料狀仿金合金的粒徑為0.1μm-2.5μm。

10.一種油墨，其特征在于，包括樹脂和權(quán)利要求1至2任一項所述的仿金合金，或所述油墨包括樹脂和根據(jù)權(quán)利要求3至9任一項所述的仿金合金的制備方法制得的仿金合金。

11.一種鍍膜制品，其特征在于，包括基體和覆蓋于所述基體表面的仿金合金薄膜，所述仿金合金薄膜包括權(quán)利要求1至2任一項所述的仿金合金，或所述仿金合金薄膜包括根據(jù)權(quán)利要求3至9任一項所述的仿金合金的制備方法制得的仿金合金，或所述仿金合金薄膜由權(quán)利要求10所述的油墨制成。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鍍膜制品，其特征在于，所述鍍膜制品為電子設(shè)備或裝飾品；和/或

在所述鍍膜制品中，所述基體的材質(zhì)為玻璃、PMMA、PET或PP。