[發明專利]一種降低半導體器件焊接氣孔率的方法

在審

• 申請號: 202111455819.3
• 申請日: 2021-11-30
• 公開（公告）號: CN114613687A
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 崔博然;翟仁爽;李明;楊馳
• 申請（專利權）人: 杭州大和熱磁電子有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/48
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 鄭汝珍

1.一種降低半導體器件焊接氣孔率的方法，其特征在于，所述的方法為以下步驟：

（1）取半導體晶棒材料進行機械加工、噴砂，然后在半導體材料基體上噴涂一層Ni層；再在噴涂Ni層后的半導體基體上鍍Ni；

（2）將鍍鎳后的半導體基體材料與印刷有錫膏的基體焊接互聯。

2.根據權利要求1所述的降低半導體器件焊接氣孔率的方法，其特征在于，機械加工采用內圓切割的方法。

3.根據權利要求1所述的降低半導體器件焊接氣孔率的方法，其特征在于，噴涂Ni層厚度為60~120μm。

4.根據權利要求3所述的降低半導體器件焊接氣孔率的方法，其特征在于，噴涂Ni層的方法包括火焰噴涂。

5.根據權利要求1所述的降低半導體器件焊接氣孔率的方法，其特征在于，鍍Ni層的方法包括電鍍、化學鍍。

6.根據權利要求1或5所述的降低半導體器件焊接氣孔率的方法，其特征在于，鍍層厚度為4~12μm。

7.根據權利要求1所述的降低半導體器件焊接氣孔率的方法，其特征在于，步驟（2）所述的焊接采用回流爐加熱或碳板加熱。

8.根據權利要求7所述的降低半導體器件焊接氣孔率的方法，其特征在于，預熱過程，升溫速度4 ℃/s,保溫溫度160~215℃，保溫時間90~170 s，回流溫度250-280，回流時間60-90s，冷卻速度3℃/s。