[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和包括半導(dǎo)體裝置的電子系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111454794.5
• 申請(qǐng)日: 2021-12-01
• 公開（公告）號(hào): CN114613781A
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金成吉;金廷奐;延國賢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11582
• 分類號(hào): H01L27/11582;H01L27/11556
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;肖學(xué)蕊

公開了半導(dǎo)體裝置和電子系統(tǒng)。該半導(dǎo)體裝置包括襯底上的柵極堆疊結(jié)構(gòu)、在襯底上在第一方向上延伸并且將柵極堆疊結(jié)構(gòu)分離的分離結(jié)構(gòu)、以及穿透柵極堆疊結(jié)構(gòu)的豎直結(jié)構(gòu)。每個(gè)柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括單元介電層和包括上電極的電極、在電極與單元介電層之間延伸的阻擋層、在第一方向上延伸并且穿透上電極以將每個(gè)上電極分離成在與第一方向相交的第二方向上彼此間隔開的段的分離介電圖案、以及分離介電圖案與上電極之間的封蓋圖案。封蓋圖案位于每個(gè)上電極的側(cè)壁上，并且在垂直于襯底的頂表面的第三方向上彼此間隔開。每個(gè)封蓋圖案位于阻擋層的側(cè)壁上。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2020年12月3日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2020-0167790的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的公開內(nèi)容以引用方式全部并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

在需要數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的電子系統(tǒng)中，可能期望具有能夠存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體裝置。因此，已經(jīng)進(jìn)行了研究以增大半導(dǎo)體裝置的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量。例如，作為增大半導(dǎo)體裝置的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的方法，建議半導(dǎo)體裝置包括三維布置的存儲(chǔ)器單元而不是二維布置的存儲(chǔ)器單元。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例提供了一種能夠降低工藝故障并改善可能由于污染而增大的諸如泄漏電流的操作特性的半導(dǎo)體裝置。

本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例提供了一種包括以上討論的半導(dǎo)體裝置的電子系統(tǒng)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置可以包括：多個(gè)柵極堆疊結(jié)構(gòu)，其位于襯底上；多個(gè)分離結(jié)構(gòu)，其在襯底上在第一方向上延伸，并且將柵極堆疊結(jié)構(gòu)彼此分離；以及多個(gè)豎直結(jié)構(gòu)，其穿透柵極堆疊結(jié)構(gòu)。柵極堆疊結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)可以包括：交替地堆疊的多個(gè)電極和多個(gè)單元介電層，電極包括個(gè)多個(gè)上電極；阻擋層，其在電極與單元介電層之間延伸；分離介電圖案，其在第一方向上延伸，分離介電圖案穿透上電極，以將上電極中的每一個(gè)分離成段，段在與第一方向相交的第二方向上彼此間隔開；以及多個(gè)封蓋圖案，其位于分離介電圖案與上電極之間。封蓋圖案可以位于上電極中的每一個(gè)的側(cè)壁上，并且可以在垂直于襯底的頂表面的第三方向上彼此間隔開。封蓋圖案中的每一個(gè)可以位于阻擋層的側(cè)壁上。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置可以包括：多個(gè)柵極堆疊結(jié)構(gòu)，其位于襯底上；多個(gè)分離結(jié)構(gòu)，其在襯底上在第一方向上延伸，并且將柵極堆疊結(jié)構(gòu)彼此分離；以及多個(gè)豎直結(jié)構(gòu)，其穿透柵極堆疊結(jié)構(gòu)。柵極堆疊結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)可以包括：交替地堆疊的多個(gè)電極和多個(gè)單元介電層，電極包括多個(gè)上電極；分離介電圖案，其在第一方向上延伸，分離介電圖案穿透上電極以將上電極中的每一個(gè)分離成段，段在與第一方向相交的第二方向上彼此間隔開；以及多個(gè)封蓋圖案，其位于分離介電圖案與上電極之間。封蓋圖案中的共同地與上電極中的同一個(gè)接觸的一些封蓋圖案可以沿著第一方向彼此間隔開。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，電子系統(tǒng)可以包括：主板；半導(dǎo)體裝置，其位于主板上；以及控制器，其位于主板上，并且電連接到半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置可以包括：襯底；多個(gè)柵極堆疊結(jié)構(gòu)，其位于襯底上；多個(gè)分離結(jié)構(gòu)，其在襯底上在第一方向上延伸，并且將柵極堆疊結(jié)構(gòu)彼此分離；以及多個(gè)豎直結(jié)構(gòu)，其穿透柵極堆疊結(jié)構(gòu)。柵極堆疊結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)可以包括：交替地堆疊的多個(gè)電極和多個(gè)單元介電層，電極包括多個(gè)上電極；阻擋層，其在電極與單元介電層之間延伸；分離介電圖案，其在第一方向上延伸，分離介電圖案穿透上電極以將上電極中的每一個(gè)分離成段，段在與第一方向相交的第二方向上彼此間隔開；以及多個(gè)封蓋圖案，其位于分離介電圖案與上電極之間。封蓋圖案可以位于上電極中的每一個(gè)的側(cè)壁上，并且可以在垂直于襯底的頂表面的第三方向上彼此間隔開。封蓋圖案中的每一個(gè)可以位于阻擋層的側(cè)壁上。

附圖說明

圖1示出了呈現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的包括半導(dǎo)體裝置的電子系統(tǒng)的簡化示意圖。

圖2示出了呈現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的包括半導(dǎo)體裝置的電子系統(tǒng)的簡化透視圖。