[發(fā)明專利]一種低損硅基濾波器及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111454087.6
• 申請日: 2021-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN114142192B
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬晶;梁曉新
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山鴻永微波科技有限公司
• 主分類號(hào): H01P1/20
• 分類號(hào): H01P1/20;H01P1/212;H01P11/00
• 代理公司: 蘇州廣正知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32234
• 代理人: 孫茂義

1.一種低損硅基濾波器，其特征在于，包括：n個(gè)硅腔諧振單元，每個(gè)硅腔諧振單元分別包括第一金屬層、厚膜層、高阻硅介質(zhì)層和第二金屬層，所述第一金屬層、厚膜層、高阻硅介質(zhì)層和第二金屬層上下依次層疊，所述高阻硅介質(zhì)層上設(shè)置有硅坑，所述硅坑位于對應(yīng)第一金屬層的正下方，所述硅坑的底部呈鋸齒狀或者連續(xù)的波浪狀，所述硅腔諧振單元的邊緣設(shè)置有多個(gè)通孔，所述通孔依次貫穿第一金屬層、厚膜層、高阻硅介質(zhì)層和第二金屬層，且通孔的內(nèi)壁表面設(shè)置有金屬沉積層，所述硅坑刻蝕在高阻硅介質(zhì)層上，且不刻穿。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低損硅基濾波器，其特征在于，所述通孔為全通孔或半通孔，所謂半通孔，是指半通孔的橫截面為全通孔橫截面的一半。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低損硅基濾波器，其特征在于，硅腔諧振單元的數(shù)量n≥1，且為整數(shù)， n大于1時(shí)，n個(gè)硅腔諧振單元排列成矩陣，此時(shí)，相鄰兩個(gè)硅腔諧振單元相對邊緣上的通孔為半通孔，且相鄰兩個(gè)硅腔諧振單元邊緣的半通孔對應(yīng)組合為全通孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低損硅基濾波器，其特征在于，還包括輸入饋線槽、第一缺陷耦合槽、輸出饋線槽和第二缺陷耦合槽，所述輸入饋線槽和第一缺陷耦合槽設(shè)置在硅腔諧振單元矩陣的中任一行的首位硅腔諧振單元上的第一金屬層上，所述輸入饋線槽從對應(yīng)第一金屬層邊緣向內(nèi)延伸并與第一缺陷耦合槽連通，進(jìn)行待濾波信號(hào)的輸入；

所述輸出饋線槽和第二缺陷耦合槽設(shè)置在硅腔諧振單元的矩陣中任一行的末位硅腔諧振單元上的第一金屬層上，所述輸出饋線槽與第二缺陷耦合槽連通并延伸至對應(yīng)第一金屬層的邊緣，輸出濾波信號(hào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低損硅基濾波器，其特征在于，所述輸入饋線槽、第一缺陷耦合槽、輸出饋線槽和第二缺陷耦合槽深度與第一金屬層的厚度相對應(yīng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低損硅基濾波器，其特征在于，鋸齒狀包括多個(gè)間隔分布的矩形或者三角形截面的凸筋。

7.一種權(quán)利要求1~6任一所述的低損硅基濾波器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在高阻硅介質(zhì)兩面拋光，形成高阻硅介質(zhì)層；

在高阻硅介質(zhì)層正面刻蝕所需尺寸的硅坑，并在硅坑的底部形成呈鋸齒狀或者連續(xù)的波浪狀結(jié)構(gòu)；

在高阻硅介質(zhì)層上方形成厚膜層；

在厚膜層上面濺射電鍍第一金屬層，在高阻硅介質(zhì)層下方電鍍第二金屬層；

貫穿刻蝕第一金屬層、厚膜層、高阻硅介質(zhì)層和第二金屬層的邊緣，形成貫穿的通孔；

在通孔內(nèi)壁四周濺射金屬沉積層。