[發明專利]消除拋光后晶圓表面殘留印記及微小顆粒的清洗方法

在審

• 申請號: 202111453357.1
• 申請日: 2021-12-01
• 公開（公告）號: CN114141610A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 連坤;王金翠;劉桂銀;張秀全;孫丙瑞;王有貴;李道玉
• 申請（專利權）人: 濟南晶正電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/12
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種消除拋光后晶圓表面殘留印記及微小顆粒的清洗方法，其特征在于，包括：

使用純水對拋光后的晶圓進行初級清洗；

使用乙醇對初級清洗后的所述晶圓表面進行擦拭清潔，并在清潔完成后對晶圓使用純水進行首次浸泡；

使用第一清洗溶液對使用所述純水首次浸泡后的晶圓進行浸泡清洗，并對經過所述第一清洗溶液浸泡的晶圓使用純水進行二次浸泡；

使用第二清洗溶液對使用所述純水二次浸泡后的晶圓進行浸泡清洗，并對經過所述第二清洗溶液浸泡的晶圓使用純水進行三次浸泡；

使用第三清洗溶液對使用所述純水三次浸泡后的晶圓進行浸泡清洗，并對經過所述第三清洗溶液浸泡的晶圓使用純水進行四次浸泡；

使用第一清洗溶液對使用所述純水四次浸泡后的晶圓進行浸泡清洗，并對經過所述第一清洗溶液浸泡的晶圓使用純水進行五次浸泡；

對所述五次浸泡在純水中的晶圓，通入二氧化碳氣體進行兆聲清洗，并甩干清洗完成后的晶圓。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述乙醇的濃度為98％。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清洗溶液的成分配比具體為：氨水：雙氧水：水＝1:1:5-15。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二清洗溶液的成分配比具體為：鹽酸：雙氧水：水＝1:1:5-15。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三清洗溶液的成分配比具體為：硫酸：雙氧水＝5-9:1。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三清洗溶液的溫度控制在100-120攝氏度。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清洗溶液和所述第二清洗溶液的溫度控制在50-70攝氏度。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述純水浸泡的溫度控制在50-70攝氏度。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述甩干步驟具體為：將所述清洗完成后的晶圓放置在真空吸盤上，通過啟動干燥設備將吸附在所述真空吸盤上的晶圓進行高速旋轉，甩干所述晶圓。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述純水放置在熱水槽中，所述熱水槽適用于晶片厚度為0.19-0.75毫米的晶片。