[發明專利]存儲訪問控制裝置、硬盤設備及方法在審
| 申請號: | 202111452416.3 | 申請日: | 2021-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN114265797A | 公開(公告)日: | 2022-04-01 |
| 發明(設計)人: | 曾偉;霍文捷 | 申請(專利權)人: | 杭州海康存儲科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F13/16 | 分類號: | G06F13/16;G06F12/02;G06F11/26 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 楊春香 |
| 地址: | 310051 浙江省杭州市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲 訪問 控制 裝置 硬盤 設備 方法 | ||
1.一種存儲訪問控制裝置,其特征在于,該裝置被部署在固態存儲磁盤SSD控制器中的雙倍速率同步動態隨機存儲器DDR控制器與系統總線之間;
所述裝置至少包括:
沖突檢測模塊,用于獲得當前待處理的來自SSD固件發送的目標DDR請求,檢測目標DDR請求攜帶的目標DDR內存地址與地址映射L2P表中當前正在被訪問的當前DDR內存地址是否發生沖突,如果是,掛起所述目標DDR請求,并在檢測到所述沖突消失時發送訪問通知至處理模塊;或者如果否,發送訪問通知至處理模塊;
處理模塊,用于依據來自所述沖突檢測模塊的所述訪問通知,觸發所述DDR控制器依據所述目標DDR請求攜帶的目標操作指令對所述L2P表中目標DDR內存地址對應的目標數據執行與所述目標操作指令對應的目標操作,并在所述DDR控制器執行完所述目標操作后生成與所述目標DDR請求對應的目標DDR響應以由所述SSD固件獲得所述目標DDR響應。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述裝置還包括:
序列管理模塊,用于管理至少一個DDR請求序列SQ、以及至少一個DDR響應序列CQ;
其中,每一SQ包括:至少一個DDR請求;
所述目標DDR請求包括所述序列管理模塊管理的其中一個SQ中的至少一個DDR請求;
所述處理模塊進一步在生成目標DDR響應后,將所述目標DDR響應存放至所述序列管理模塊管理的其中一個CQ中。
3.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,
所述序列管理模塊管理的SQ的數量、CQ的數量均與所述SSD控制器中的CPU核數相關,每一CPU核對應至少一個SQ和至少一個CQ;
每一SQ存放其對應的CPU核上運行的SSD固件發送的DDR請求,每一CQ存放用于發向其對應的CPU核上運行的SSD固件的DDR響應。
4.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述裝置還包括:
調度模塊,用于從所述序列管理模塊管理的所有SQ中調度出目標SQ,并從目標SQ中確定出當前待處理的至少一個DDR請求作為所述目標DDR請求,通知所述沖突檢測模塊從所述目標SQ中獲得所述目標DDR請求。
5.根據權利要求4所述的裝置,其特征在于,每一SQ被設置對應的權重Weight;
所述調度模塊依據所述序列管理模塊管理的所有SQ被設置的權重,調度出滿足設定條件的目標SQ;所述設定條件至少包括:DDR請求的數量大于設定數量閾值和/或權重滿足設定權重條件。
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