[發(fā)明專利]一種無機有機雜化化合物晶體[K10 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111449618.2 | 申請日: | 2021-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN114561208B | 公開(公告)日: | 2023-08-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 吳兆鋒;譚彬;黃小滎 | 申請(專利權)人: | 閩都創(chuàng)新實驗室;中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號: | C09K11/06 | 分類號: | C09K11/06;H10K85/30;H10K30/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 無機 有機 化化 晶體 base sub 10 | ||
本申請一種無機?有機雜化化合物晶體及其制備方法和應用。所述無機?有機雜化化合物的化學式為[K10(CuI)9L10]·xH2O(1≤x≤3);其中L為3?羥基異煙酸;具有三維結構,Cu2I2簇單元通過銅?碘配位相互連接形成一維碘化亞銅無機鏈,一維碘化亞銅無機鏈上的銅原子與3,4?吡啶二羧酸上的吡啶氮原子配位,與金屬鉀進一步組裝形成三維骨架結構;屬于三斜晶系,屬于P?1空間群。該材料可通過常規(guī)的低溫溶劑熱得到,制備工藝簡單,所得產品純度高,穩(wěn)定性好。材料在可見光區(qū)域具有顯著吸收,可見光下可以實現靈敏的光電響應,是一類新穎的可見光光電響應的半導體材料。
技術領域
本發(fā)明屬于有機-無機雜化半導體材料領域,具體涉及一種無機-有機雜化化合物晶體[K10(CuI)9L10]·xH2O(1≤x≤3)及其制備方法和應用。
背景技術
碘化亞銅作為一類傳統的半導體材料,在諸如閃爍晶體、有機偶聯催化、LED等光、電、催化等領域得到了廣泛的關注與研究。所以圍繞傳統半導體結構和性能展開設計合成,通過結構調控賦予其新的物化性能,是材料化學的研究重點;同時借助明確的構效關系分析內在機制,為新型半導體材料的設計提供有意義的指導,具有重要的現實意義。
近年來,經配位化學手段從分子層面對傳統半導體塊材進行限域剪裁,通過結構和空間維度的精細調節(jié),實現了傳統半導體材料結構性能調控。如羅格斯大學的李靜課題組,將硫化鋅、硫化鎘、氧化鉬等通過配位導向限域在有機層間,獲得相應的有機配體修飾的層狀半導體晶體材料,展現出不同于塊材的光電性能(X.-Y.Huang?et?al.,J.Am.Chem.Soc.,2000,122,?8789-8790、X.-Y.Huang?et?al.,J.Am.Chem.Soc.,2003,125,7049-7055、X.-Y.Huang?et?al.,J.Am.Chem.Soc.,2007,129,3157-3162);美國加州大學伯克利分校的Jeffrey?R.Long課題組利用金屬-有機配聚物獨特的空間限域效應和吡啶官能團的配位導向,將鈷、鎳、鐵鹵化物限域生長在鋯基配聚物中,展現出有別于塊體材料的磁性現象(M.I.Gonzalez?et?al.,Nature,2020,577,?64-68)等。這些優(yōu)秀的研究成果表明利用合適的金屬-有機配體組合,借助配位化學手段,可對傳統半導體材料進行結構剪裁并實現性能調控。據我們所知,通過這一手段對碘化亞銅實現結構性能調節(jié)的研究依然非常稀少。而利用堿金屬與含氮雜環(huán)配體組合,通過配位導向合成碘化亞銅雜化材料的研究還未報道。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于采用配位化學手段,借助金屬-有機配體靈活多變的配位模式,通過配位導向作用,調控碘化亞銅在金屬有機框架內限域生長,獲得新型含一維鏈狀碘化亞銅的無機-有機雜化半導體材料。
為實現上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用如下技術方案:
根據本申請的一個方面,提供一種無機-有機雜化化合物晶體,所述無機-有機雜化化合物晶體的化學式為[K10(CuI)9L10]·xH2O(1≤x≤3);其中L?為有機配體,所述有機配體的結構為:
可選地,所述有機配體為3-羥基異煙酸。
所述無機-有機雜化化合物具有三維結構;
Cu2I2簇單元通過銅-碘配位相互連接形成一維碘化亞銅無機鏈,一維碘化亞銅無機鏈上的銅原子與3-羥基異煙酸上的吡啶氮原子配位,與金屬鉀組裝形成三維骨架結構。
所述無機-有機雜化化合物晶體屬于三斜晶系,屬于P-1空間群;
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