[發(fā)明專利]一種激光退火系統(tǒng)及激光退火方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111449095.1 | 申請日: | 2021-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN116207000A | 公開(公告)日: | 2023-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙勇杰;楊暉;金賢勝;劉堯 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥本源量子計算科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/268 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 激光 退火 系統(tǒng) 方法 | ||
本申請公開了激光退火系統(tǒng)及激光退火方法,屬于量子信息領(lǐng)域。針對執(zhí)行量子芯片退火時,激光能量不穩(wěn)定的問題,本申請?zhí)峁┑募す馔嘶鹣到y(tǒng)設(shè)置調(diào)制器調(diào)制發(fā)射激光的能量,然后利用分光器對能量調(diào)制后的激光束進行分光獲得第一激光和第二激光,并且設(shè)置第一傳感器采集第一激光的探測參數(shù),再利用反饋控制器根據(jù)探測參數(shù)控制調(diào)制器調(diào)制所述發(fā)射激光以確保第二激光的能量為目標值。與本申請?zhí)峁┑募す馔嘶鹣到y(tǒng)相應(yīng)的,本申請?zhí)峁┑募す馔嘶鸱椒ㄍㄟ^先調(diào)制發(fā)射激光,然后對能量調(diào)制后的激光束進行分光獲得第一激光和第二激光,并且采集第一激光的探測參數(shù),再根據(jù)探測參數(shù)控制調(diào)制器調(diào)制所述發(fā)射激光以確保第二激光的能量為目標值。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請屬于量子信息領(lǐng)域,尤其是量子計算技術(shù)領(lǐng)域,特別地,本申請涉及一種激光退火系統(tǒng)及激光退火方法。
背景技術(shù)
量子計算是量子力學與計算機科學相結(jié)合的一種通過遵循量子力學規(guī)律、調(diào)控量子信息單元來進行計算的新型計算方式。它以微觀粒子構(gòu)成的量子比特為基本單元,具有量子疊加、糾纏的特性。通過量子態(tài)的受控演化,量子計算能夠?qū)崿F(xiàn)信息編碼和計算存儲,具有經(jīng)典計算技術(shù)無法比擬的巨大信息攜帶量和超強并行計算處理能力。國際上正在探索的量子計算的物理系統(tǒng)包括離子阱、超導、超冷原子、極化分子、線性光學、金剛石色心、硅28中的電子或核自旋等方向。
在超導物理體系的量子計算中,量子比特是基于約瑟夫森結(jié)構(gòu)建的TLS系統(tǒng),為了提高量子比特的性能參數(shù),常用激光器產(chǎn)生的高斯光束對約瑟夫森結(jié)進行退火,然而受限于激光器的穩(wěn)定性以及傳輸光路中的變化,照射約瑟夫森結(jié)的激光的能量易產(chǎn)生波動,這種波動影響到退火的效果進而導致量子比特的性能參數(shù)發(fā)生不期望的改變。
發(fā)明創(chuàng)造內(nèi)容
本申請的目的是提供一種激光退火系統(tǒng)及激光退火方法,以解決利用現(xiàn)有技術(shù)中的激光退火系統(tǒng)對量子芯片退火時,激光的能量易產(chǎn)生波動而影響到退火效果的問題。
本申請的一個方面提供了一種激光退火系統(tǒng),包括用于承載量子芯片的退火平臺、及用于產(chǎn)生發(fā)射激光的激光源,所述激光退火系統(tǒng)還包括:
調(diào)制器,用于調(diào)制所述發(fā)射激光以獲得激光束;
分光器,用于將所述激光束分束形成傳輸至所述量子芯片的第二激光,以及傳輸路徑與所述第二激光不同的第一激光;
第一傳感器,用于采集所述第一激光的探測參數(shù);以及
與所述第一傳感器連接的反饋控制器,用于根據(jù)所述探測參數(shù)控制所述調(diào)制器調(diào)制所述發(fā)射激光以使所述第二激光的能量為目標值。
在本申請的一些實施方式中,所述激光源包括固體激光發(fā)射器。示例性的,所述固體激光發(fā)射器提供波長為532nm的發(fā)射激光。
在本申請的一些實施方式中,所述調(diào)制器為聲光調(diào)制器、電光調(diào)制器、波片或者其他功率調(diào)節(jié)機構(gòu)。示例性的,所述波片為半波長波片。
在本申請的一些實施方式中,所述第一傳感器為光電傳感器。示例性的,所述光電傳感器為硅基光電傳感器。
在本申請的一些實施方式中,所述探測參數(shù)與能量呈線性關(guān)系。示例性的,所述探測參數(shù)為能量參數(shù)或者電壓參數(shù)。
在本申請的一些實施方式中,所述反饋控制器包括:
與所述第一傳感器連接的A/D轉(zhuǎn)換模塊,用于將所述探測參數(shù)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號;
與所述A/D轉(zhuǎn)換模塊連接的運算模塊,用于接收所述數(shù)字信號和所述目標值,并根據(jù)所述目標值和所述數(shù)字信號生成對應(yīng)的控制指令;以及
與所述運算模塊和所述調(diào)制器均連接的控制模塊,用于根據(jù)所述控制指令控制所述調(diào)制器調(diào)制所述發(fā)射激光。
在本申請的一些實施方式中,所述反饋控制器還包括:
交互模塊,用于接收更改指令;以及
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





