[發(fā)明專利]一種碳化硅研磨的裝置和方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111448410.9
• 申請日: 2021-12-01
• 公開（公告）號: CN114012597A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設計）人: 王越波;高冰
• 申請（專利權）人: 浙江晶越半導體有限公司
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/34;B24B55/03;B24B1/00;B08B3/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明涉及化學機械研磨技術領域，特別涉及一種碳化硅研磨的裝置和方法，其中研磨裝置，包括：工作臺；旋轉臺，設置在工作臺上；研磨盤，設置在旋轉臺上；吸附盤，設置在研磨盤上；第一清洗降溫裝置，設置在工作臺上，用來對研磨盤和真空吸附盤接觸部分的研磨區(qū)域進行清洗和冷卻；第一清洗干燥裝置，可以活動的防止在工作臺上，以對研磨后的晶片背面進行清洗干燥。本發(fā)明的第一清洗裝置有效的增強了研磨區(qū)域的清洗和冷卻效果同時減少了水資源的浪費，而且實現(xiàn)了在碳化硅晶片研磨的同時進行清洗。

技術領域

本發(fā)明涉及化學機械研磨技術領域，特別涉及一種碳化硅研磨的裝置和方法。

背景技術

在碳化硅襯底的制作工藝中，常需用到化學機械研磨(Chemical MechanicalPolishing，，CMP)設備對晶片表面進行平坦化處理。CMP設備在進行平坦化處理時，將研磨液供給到研磨墊上晶片通過研磨頭的壓力與研磨墊表面接觸通過晶片研磨液與研磨墊的相互作用能夠對晶片的化學機械研磨(即平坦化)。

現(xiàn)有的碳化硅晶片研磨部件不可以在晶片研磨的同時進行清洗，另外在研磨過程中，冷卻水從研磨盤邊緣噴出，用以對研磨區(qū)進行冷卻，并將研磨產(chǎn)生的粉末帶走。由于晶片與研磨盤真正接觸的面積為研磨盤的四分之一，但是冷卻水的排出孔卻均勻的分布在研磨盤上，無法對其余的四分之三的晶片進行有效冷卻，對水資源也是一種浪費。而且由于晶片研磨過程中會產(chǎn)生大量的碳化硅粉體和研磨盤脫落物，當晶片的研磨部件清理不及時，產(chǎn)生的碳化硅粉體和研磨盤脫落物容易在晶片表面產(chǎn)生劃痕，增大晶片的損傷。降低了晶片的研磨質量。另外，本發(fā)明研磨裝置通過旋轉裝置和研磨盤凹槽設計，能加快研磨廢液的排放和有利于研磨時產(chǎn)生的熱量的釋放。進一步防止晶片因摩擦生熱導致晶片破裂。

發(fā)明內容

為了解決現(xiàn)有研磨技術中存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種研磨裝置和一種研磨方法。本發(fā)明要解決的技術問題通過以下技術方案實現(xiàn)；

本發(fā)明提供的研磨裝置，包括；

工作臺；

旋轉臺，固定安裝在所述工作臺上；

研磨盤，通過螺紋連接在旋轉臺上；

真空吸附盤，設置在研磨盤上方；

第一清洗降溫裝置，設置在工作臺上，用來對研磨盤和真空吸附盤接觸的研磨區(qū)域進行清洗冷卻；

第一清洗干燥裝置，固定安裝在工作臺上，用來對真空吸附盤在研磨盤上研磨后的晶片進行清洗和干燥。

本發(fā)明的一個實施例中，還包括第二清洗降溫裝置，設置在所述真空吸附盤上方用來對真空吸附盤進行清洗降溫。

本發(fā)明的一個實施例中，還包括旋轉臺上設置有隔檔件，兩個所述真空吸盤關于所述隔檔件對稱設置。

本發(fā)明的一個實施例中，還包括第三清洗降溫裝置，設置在真空吸附盤和研磨盤的非接觸區(qū)域進行清洗冷卻。

本發(fā)明的一個實施例中，還包括旋轉臺和研磨盤用螺絲進行連接。

本發(fā)明的一個實施例中，還包括研磨盤采用螺紋凹槽設計。

本發(fā)明提供了一種研磨機，包括上述實施例中任一項所述的研磨裝置。

本發(fā)明提供一種研磨方法，采用了上述實施例中所述的研磨機進行研磨，該方法包括；

將碳化硅晶片裝載在吸附盤上；

控制研磨盤對裝載有碳化硅晶片的吸附盤進行研磨，同時打開第一清洗降溫裝置、第二清洗降溫裝置對研磨的碳化硅晶片進行清洗和冷卻；

研磨結束后，控制第一清洗降溫裝置對碳化硅晶片背面進行沖洗；

清洗結束后，打開第一清洗干燥裝置，控制第一清洗干燥裝置在晶片上方進行持續(xù)干燥直至晶片沒有冷卻水。

與現(xiàn)有研磨技術相比，本發(fā)明的有益效果在于；