[發明專利]一種微米級片層狀Si/SiO2

在審

• 申請號: 202111447558.0
• 申請日: 2021-11-30
• 公開（公告）號: CN114142016A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 郭守武;高生輝;張利鋒;阮歡;高春云;王亞軍;高峰;郝巧娥;王鳳
• 申請（專利權）人: 陜西榆能集團能源化工研究院有限公司;陜西科技大學
• 主分類號: H01M4/38
• 分類號: H01M4/38;H01M4/36;H01M10/0525
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 崔方方

1.一種微米級片層狀Si/SiO₂復合材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)將硅源、氯化銨和鋁粉混合，加入無水乙醇后研磨，干燥后得到前驅體；

2)將前驅體在500～700℃下進行煅燒，煅燒氣氛為氬氣或氮氣，煅燒0.5～1小時，之后進行酸洗、水洗和真空干燥；

3)將干燥產物用質量分數為2％的氫氟酸進行二次處理，洗滌、干燥后得到微米級片層狀Si/SiO₂復合材料。

2.根據權利要求1所述的微米級片層狀Si/SiO₂復合材料的制備方法，其特征在于，在步驟1)中，硅源為工業級高嶺土。

3.根據權利要求2所述的微米級片層狀Si/SiO₂復合材料的制備方法，其特征在于，在步驟1)中，硅源、氯化銨和鋁粉的質量比為1:(1～3):(1～3)。

4.根據權利要求3所述的微米級片層狀Si/SiO₂復合材料的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中，無水乙醇的加入量為每1.0g的硅源對應5～10mL。

5.根據權利要求1所述的微米級片層狀Si/SiO₂復合材料的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中，研磨時間為0.1～0.5小時。

6.根據權利要求1所述的微米級片層狀Si/SiO₂復合材料的制備方法，其特征在于，所述步驟3)中，二次酸處理時間為0.1～1小時。

7.根據權利要求1～6任一項所述方法制備得到的微米級片層狀Si/SiO₂復合材料。

8.根據權利要求7所述的微米級片層狀Si/SiO₂復合材料，其特征在于，結晶二氧化硅作為微米級片層骨架，無定形的非晶二氧化硅包覆晶體硅附著在二氧化硅晶體骨架上。

9.根據權利要求7或8所述的微米級片層狀Si/SiO₂復合材料作為鋰離子電池負極材料的應用。