[發明專利]一種電阻片及其制備工藝、氧化鋅避雷器

在審

• 申請號: 202111446475.X
• 申請日: 2021-11-30
• 公開（公告）號: CN114373591A
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 祝志祥;曹偉;王劍;谷山強;萬帥;嚴波;鄭世玲;劉靜;張強;陳保安;陳新
• 申請（專利權）人: 全球能源互聯網研究院有限公司;國網安徽省電力有限公司;國網電力科學研究院武漢南瑞有限責任公司;國家電網有限公司;國網電力科學研究院有限公司
• 主分類號: H01C7/112
• 分類號: H01C7/112;H01C7/108;H01C7/105;H01C7/12;H01C17/00;H01C17/02;H01C17/28;H01C17/30
• 代理公司: 北京安博達知識產權代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種電阻片，其特征在于，所述電阻片由純度為99.5％以上的按摩爾百分比計的下列粉狀組分制備而成：ZnO：88～95％，Bi₂O₃：0.01～4.0％，Sb₂O₃：0.01～2.0％，Co₃O₄：0.05～2.0％，MnO₂：0.01～2.0％，NiO：0.01～2.0％，SiO₂：0.05～3.0％，Y₂O₃：0.01～1.0％；其中ZnO的粒徑為50±10nm，NiO的粒徑小于30nm，SiO₂的粒徑為100～150nm。

2.如權利要求1的電阻片，其特征在于，所述電阻片由按摩爾百分比計的下列組分制備而成：ZnO：90～95％，Bi₂O₃：0.03～4.0％，Sb₂O₃：0.03～2.0％，Co₃O₄：0.05～2.0％，MnO₂：0.03～2.0％，NiO：0.03～2.0％，SiO₂：0.05～3.0％，Y₂O₃：0.05～1.0％。

3.如權利要求1的電阻片，其特征在于，所述電阻片由按摩爾百分比計的下列組分制備而成：ZnO：93.5％，Bi₂O₃：2.3％，Sb₂O₃：0.5％，Co₃O₄：0.5％，MnO₂：0.6％，NiO：0.6％，SiO₂：1.5％，Y₂O₃：0.5％。

4.一種電阻片的制備工藝，其特征在于，所述制備工藝包括以下步驟：

1)球磨：

將純度為99.5％以上的按摩爾百分比計的下列粉狀組分混合：ZnO：88～95％，Bi₂O₃：0.01～4.0％，Sb₂O₃：0.01～2.0％，Co₃O₄：0.05～2.0％，MnO₂：0.01～2.0％，NiO：0.01～2.0％，SiO₂：0.05～3.0％，Y₂O₃：0.01～1.0％；其中ZnO的粒徑為50±10nm，NiO的粒徑小于30nm，SiO₂的粒徑為100～150nm；加入無水乙醇后，用研磨球研磨，球磨24～36h，得漿料；

2)造粒：干燥步驟1)所得漿料、粉碎過篩后再加入聚乙烯醇攪拌得顆粒料；

3)成型：將步驟2)所得的顆粒料壓片成型，得電阻素胚；

4)排膠：于電阻爐中對步驟3)所得的電阻素胚排膠；

5)燒成：常壓燒結步驟4)中排膠處理的電阻素胚；

6)磨片：用磨片機磨平經步驟5)燒成后的電阻素胚的兩端面，得磨片；清洗所得磨片后干燥；

7)熱處理：將步驟6)干燥后的磨片放入熱處理爐，在空氣環境下熱處理；

8)制備電阻片成品：將步驟7)所得電阻片兩端面噴鍍95～105μm厚的鋁層電極；再于電阻片側面涂絕緣層后固化、冷卻至室溫，得所述電阻片成品。

5.如權利要求4所述的電阻片的制備工藝，其特征在于，

所述步驟1)中加入的無水乙醇量為所述粉狀組分重量的0.9～1.0倍；所述球磨轉速是200～300r/min。

6.如權利要求4所述的電阻片的制備工藝，其特征在于，

所述步驟2)具體為于120～150℃溫度下干燥步驟1)所得漿料24～48h后粉碎過200～250目篩，之后再加入占粉料重量8～10％的聚乙烯醇攪拌得顆粒料。