[發(fā)明專利]聲波探頭、其聲波接收陣元的定位方法及其成像方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111446389.9
• 申請日: 2021-11-30
• 公開（公告）號: CN114145767A
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發(fā)明（設計）人: 曹永剛;姬雅倩;韓艷玲;勾越;李倩巖;王雷;陳婉芝
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: A61B8/00
• 分類號: A61B8/00
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 張筱寧;王存霞

1.一種聲波探頭，其特在于，包括：

殼體，包括底部和連接在所述底部上的側(cè)壁以形成槽狀；

多個聲波發(fā)射器，均勻設置于所述殼體的底部；

柔性聲波接收陣列，位于所述殼體的頂部且所述柔性聲波接收陣列的邊緣固定于所述側(cè)壁上，所述柔性聲波接收陣列包括多個聲波接收陣元；

閥門，固定在所述殼體側(cè)壁上，所述閥門的導通使得填充劑被注入所述殼體和柔性聲波接收陣列形成的腔體內(nèi)，或者使得所述填充劑由所述殼體和柔性聲波接收陣列形成的腔體內(nèi)排出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波探頭，其特征在于，所述聲波發(fā)射器的數(shù)量大于或等于3。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲波探頭，其特征在于，所述聲波發(fā)射器為壓電晶片，所述聲波發(fā)射器的形狀為圓形、矩形以六邊形的片材中的一種，或者為球殼形或半球殼形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波探頭，其特征在于，所述殼體的頂部為開口，所述柔性聲波接收陣列的面積大于所述開口的面積，所述開口的面積大于所述殼體的底部的面積。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聲波探頭，其特征在于，

所述柔性聲波接收陣列為圓形，所述殼體為錐臺形；或者

所述柔性聲波接收陣列為矩形，所述殼體為棱臺形。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聲波探頭，其特征在于，所述柔性聲波接收陣列包括柔性壓電薄膜層以及位于所述柔性壓電薄膜層兩側(cè)邊的第一電極層和第二電極層；

所述第一電極層包括多個第一電極，所述第二電極層包括多個第二電極，所述第一電極層和所述第二電極層關(guān)于所述柔性壓電薄膜層鏡像對稱，每對所述第一電極和所述第二電極、以及位于所述每對所述第一電極和所述第二電極之間的所述柔性壓電薄煤層形成一個所述聲波接收陣元；或者

所述第一電極層包括多個第一電極，所述第二電極層覆蓋所述柔性壓電薄膜層，每個所述第一電極與其所在區(qū)域的第二電極層和所述柔性壓電薄膜層形成一個所述聲波接收陣元。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的聲波探頭，其特征在于，所述第一電極的形狀為矩形、圓形、六邊形中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的聲波探頭，其特征在于，所述第一電極的尺寸小于所述聲波的波長且大于0.1mm，相鄰第一電極之間的距離為0.1mm至0.2mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的聲波探頭，其特征在于，所述柔性壓電薄膜層的厚度為10微米～50微米；

所述第一電極層和所述第二電極層的厚度均為10納米～100納米。

10.一種權(quán)利要求1-9中任一項所述的聲波探頭中聲波接收陣元的定位方法，其特征在于，包括：

聲波接收陣元接收各超聲發(fā)射器發(fā)出的聲波，并讀取每個超聲發(fā)射器發(fā)出聲波到達所述聲波接收陣元的時間以作為第一時間；

根據(jù)多個所述超聲發(fā)射器對應的第一時間確定所述聲波接收陣元的位置。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的聲波接收陣元的定位方法，其特征在于，根據(jù)多個所述超聲發(fā)射器所述對應的第一時間確定所述聲波接收陣元的位置，包括：

以所述殼體的底部所在平面作為xy平面、以垂直于所述殼體的底部的中心垂線為z軸建立空間坐標系；

根據(jù)所述聲波在所述填充劑中的傳播速度以及各所述聲波發(fā)射器所對應的第一時間計算出所述聲波接收陣元與各所述超聲發(fā)射器之間的距離；

根據(jù)所述聲波接收陣元與各所述超聲發(fā)射器之間的距離計算所述聲波接收陣元在所述空間坐標系中的坐標。

12.一種聲波成像方法，其特征在于，包括：

權(quán)利要求10或11中所述的聲波接收陣元的定位方法；

根據(jù)確定的所述聲波接收陣元的位置，通過全聚焦成像的方法對被測目標進行聲波成像。