[發明專利]電熔絲單元陣列的版圖布局方法

在審

• 申請號: 202111446221.8
• 申請日: 2021-11-30
• 公開（公告）號: CN114357926A
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 張黎;晏穎
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧浩

1.一種電熔絲單元陣列的版圖布局方法，其特征在于，包含：電熔絲單元對結構，其包含，二個電熔絲晶體管單元；

第一電熔絲晶體管單元包含：第一晶體管和第一電熔絲單元；

第二電熔絲晶體管單元包含：第二晶體管和第二電熔絲單元；

第一電熔絲單元跨接在第一晶體管和第二晶體管上；

第二電熔絲單元跨接在第二晶體管和第一晶體管上。

2.根據權利要求1所述的電熔絲單元陣列的版圖布局方法，其特征在于，

第一電熔絲單元包含第一陽極墊、第一熔絲、第一陰極墊，第一熔絲兩端連接第一陽極墊和第一陰極墊；

第二電熔絲單元包含第二陽極墊、第二熔絲、第二陰極墊，第二熔絲兩端連接第二陽極墊和第二陰極墊；

第一陽極墊-第一熔絲-第一陰極墊平行于第二陰極墊-第二熔絲-第二陽極墊沿第一方向布置，

在垂直于第一方向的第二方向上，第一陽極墊對準第二陰極墊，第一陰極墊對準第二陽極墊。

3.根據權利要求2所述的電熔絲單元陣列的版圖布局方法，其特征在于，

第一陽極墊位于第二晶體管處，第一陰極墊位于第一晶體管處；

第二陽極墊位于第一晶體管處，第二陰極墊位于第二晶體管處；

第一晶體管和第二晶體管交叉對稱布置。

4.根據權利要求1所述的電熔絲單元陣列的版圖布局方法，其特征在于，第一晶體管和第二晶體管為MOS管。

5.根據權利要求4所述的電熔絲單元陣列的版圖布局方法，其特征在于，第一晶體管和第二晶體管為NMOS管。

6.根據權利要求2所述的電熔絲單元陣列的版圖布局方法，其特征在于，

第一陽極墊、第一陰極墊成板狀，第一熔絲成條狀，第一陽極墊、第一陰極墊的寬度遠大于第一熔絲的寬度；

第二陽極墊、第二陰極墊成板狀，第二熔絲成條狀，第二陽極墊、第二陰極墊的寬度遠大于第二熔絲的寬度。

7.根據權利要求2所述的電熔絲單元陣列的版圖布局方法，其特征在于，

第一陽極墊、第二陽極墊采用第三金屬層形成；

第一熔絲、第二熔絲采用第二金屬層形成；

第一陰極墊、第二陰極墊采用第二金屬層形成；

第一陽極墊通過第一連通孔從第三金屬層連接到第一熔絲的第二金屬層；

第二陽極墊通過第二連通孔從第三金屬層連接到第二熔絲的第二金屬層。

8.根據權利要求7所述的電熔絲單元陣列的版圖布局方法，其特征在于，

第二金屬層沿著第一方向布置，第三金屬層沿著第二方向布置；

第一位線、第二位線分別通過第三金屬層形成；

字線通過第二金屬層形成。

9.根據權利要求8所述的電熔絲單元陣列的版圖布局方法，其特征在于，

形成的等效電路，包含：

位于第三金屬層的第一位線與位于第三金屬層的第一陽極墊相連，通過第一連通孔與位于第二金屬層的第一熔絲相連，再連接到位于第二金屬層的第一陰極墊；

位于第三金屬層的第二位線與位于第三金屬層的第二陽極墊相連，通過第二連通孔與位于第二金屬層的第二熔絲相連，再連接到位于第二金屬層的第二陰極墊；

第一陽極墊位于第一晶體管處，第一陰極墊位于第二晶體管處；

第二陽極墊位于第二晶體管處，第二陰極墊位于第一晶體管處；

第一晶體管和第二晶體管交叉對稱布置；

第一晶體管、第二晶體管的源極、漏極、柵極都采用第二金屬層形成連接；

形成的等效電路，還包含：

第一晶體管的源極或漏極連接第一陰極墊，第一晶體管的漏極或源極接地，第一晶體管的柵極連接字線；

第二晶體管的源極或漏極連接第二陰極墊，第二晶體管的漏極或源極接地，第二晶體管的柵極連接字線。

10.根據權利要求1所述的電熔絲單元陣列的版圖布局方法，其特征在于，將本方法提供的電熔絲單元對結構陣列，形成了整體集成電路。