[發明專利]一種ZnO懸浮碗狀結構的垂直腔面激光發射器及其制備方法

有效

• 申請號: 202111443872.1
• 申請日: 2021-11-30
• 公開（公告）號: CN114336278B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 朱剛毅;高菲;秦飛飛
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01S5/10
• 分類號: H01S5/10;H01S5/183
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 許婉靜

1.一種ZnO懸浮碗狀結構的垂直腔面激光發射器，其特征在于，所述激光發射器以硅基SOI晶片為載體，包括從下至上依次設置的硅襯底層（1）、二氧化硅層（2）、二氧化硅支柱層（3）、二氧化硅圓盤層（4）、氧化鋅圓盤層（5）；所述激光發射器形成有多個從上至下刻穿氧化鋅圓盤層（5）、二氧化硅圓盤層（4）、二氧化硅支柱層（3）直至二氧化硅層（2）的孔洞；所述二氧化硅圓盤層（4）和氧化鋅圓盤層（5）形成碗狀微腔，其中，所述硅襯底層（1）的厚度為750um，二氧化硅層（2）的厚度為?2um，頂層硅盤的厚度為?240nm。

2.根據權利要求1所述的ZnO懸浮碗狀結構的垂直腔面激光發射器，其特征在于，所述二氧化硅層（2）和二氧化硅圓盤層（4）是硅在高溫中退火所致。

3.根據權利要求1所述的ZnO懸浮碗狀結構的垂直腔面激光發射器，其特征在于，所述二氧化硅支柱層（3）是利用BOE懸空得來。

4.根據權利要求1所述的ZnO懸浮碗狀結構的垂直腔面激光發射器，其特征在于，所述二氧化硅圓盤層（4）上懸涂了氧化鋅圓盤層（5）。

5.根據權利要求1所述的ZnO懸浮碗狀結構的垂直腔面激光發射器，其特征在于，所述二氧化硅圓盤層（4）上的氧化鋅圓盤層（5），是采用晶體生長技術MBE覆蓋上的。

6.一種權利要求1-5中任一項所述懸浮碗狀結構的垂直腔面激光發射器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟?：

在硅基SOI晶片的表面旋涂光刻膠，在旋涂的光刻膠層上定義圓盤結構；

以光刻膠為掩膜，將硅層蝕刻至二氧化硅支柱層；

對蝕刻后的晶片進行BOE懸空，得到二氧化硅支柱層（3）；

高溫褪火，得到二氧化硅層（2）和二氧化硅圓盤層（4）；

在二氧化硅圓盤層（4）上，懸涂上氧化鋅，得到氧化鋅圓盤層（5）。

7.根據權利要求6所述ZnO懸浮碗狀結構的垂直腔面激光發射器的制備方法，其特征在于，采用分子束外延在二氧化硅圓盤層（4）上覆蓋氧化鋅圓盤層（5）。