[發(fā)明專利]含有量子點(diǎn)的材料和其制備方法、交聯(lián)材料和其制備方法及發(fā)光器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111440598.2
• 申請日: 2021-11-30
• 公開（公告）號: CN114656949A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸俊禹
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/50
• 代理公司: 北京金宏來專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 劉慧紅

1.一種含有量子點(diǎn)的材料，包括：

量子點(diǎn)；以及

化學(xué)鍵合到所述量子點(diǎn)的表面的有機(jī)基團(tuán)，

其中，所述有機(jī)基團(tuán)包括：疊氮基團(tuán)和電荷傳輸基團(tuán)，并且

所述電荷傳輸基團(tuán)不為未被取代的苯基。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含有量子點(diǎn)的材料，其中，所述量子點(diǎn)包括：

第II-VI族半導(dǎo)體化合物；

第III-V族半導(dǎo)體化合物；

第III-VI族半導(dǎo)體化合物；

第I-III-VI族半導(dǎo)體化合物；

第IV-VI族半導(dǎo)體化合物；

第IV族元素或化合物；或者

其任意組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含有量子點(diǎn)的材料，其中，在所述有機(jī)基團(tuán)中的所述電荷傳輸基團(tuán)為給電子基團(tuán)或吸電子基團(tuán)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的含有量子點(diǎn)的材料，其中，所述給電子基團(tuán)為：未被取代或被至少一個(gè)R_20a取代的富含π電子的C₃-C₆₀環(huán)狀基團(tuán)、或-N(Ar₂)(Ar₃)，其中，

Ar₂和Ar₃各自獨(dú)立地為未被取代或被至少一個(gè)R_20a取代的富含π電子的C₃-C₆₀環(huán)狀基團(tuán)，

所述吸電子基團(tuán)為：

-F、-CFH₂、-CF₂H、-CF₃、-CN或-NO₂；

被-F、-CFH₂、-CF₂H、-CF₃、-CN或-NO₂中的至少一個(gè)取代的C₁-C₆₀烷基；或者

未被取代或被至少一個(gè)R_10a取代的缺乏π電子的含氮C₁-C₆₀環(huán)狀基團(tuán)，

R_10a為：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基或硝基；

C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀鏈烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷硫基或C₁-C₆₀烷氧基，它們各自獨(dú)立地未被取代或被如下基團(tuán)取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)、C₁-C₆₀雜環(huán)基團(tuán)、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳氧基、C₁-C₆₀雜芳硫基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)、或其任意組合；

C₃-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)、C₁-C₆₀雜環(huán)基團(tuán)、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳氧基或C₁-C₆₀雜芳硫基，它們各自獨(dú)立地未被取代或被如下基團(tuán)取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀鏈烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₁-C₆₀烷硫基、C₃-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)、C₁-C₆₀雜環(huán)基團(tuán)、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳氧基、C₁-C₆₀雜芳硫基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)、或其任意組合；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中，Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃以及Q₃₁至Q₃₃各自獨(dú)立地為：氫；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羥基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀鏈烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；C₁-C₆₀烷硫基；C₃-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)或C₁-C₆₀雜環(huán)基團(tuán)，它們各自獨(dú)立地未被取代或被如下基團(tuán)取代：氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、C₁-C₆₀烷硫基、苯基、聯(lián)苯基、或者其任意組合，并且

R_20a為：

氘、羥基或硝基；

C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀鏈烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷硫基或C₁-C₆₀烷氧基，它們各自獨(dú)立地為未被取代或被如下基團(tuán)取代：氘、羥基、硝基、富含π電子的C₃-C₆₀環(huán)狀基團(tuán)、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳氧基、C₁-C₆₀雜芳硫基、-Si(Q₄₁)(Q₄₂)(Q₄₃)、-N(Q₄₁)(Q₄₂)、-B(Q₄₁)(Q₄₂)、或其任意組合；

富含π電子的C₃-C₆₀環(huán)狀基團(tuán)、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳氧基或C₁-C₆₀雜芳硫基，它們各自獨(dú)立地未被取代或被如下基團(tuán)取代：氘、羥基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀鏈烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₁-C₆₀烷硫基、富含π電子的C₃-C₆₀環(huán)狀基團(tuán)、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳氧基、C₁-C₆₀雜芳硫基、-Si(Q₅₁)(Q₅₂)(Q₅₃)、-N(Q₅₁)(Q₅₂)、-B(Q₅₁)(Q₅₂)、或其任意組合；或者

-Si(Q₆₁)(Q₆₂)(Q₆₃)、-N(Q₆₁)(Q₆₂)或-B(Q₆₁)(Q₆₂)，

其中，Q₄₁至Q₄₃、Q₅₁至Q₅₃以及Q₆₁至Q₆₃各自獨(dú)立地為：氫；氘；羥基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀鏈烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；C₁-C₆₀烷硫基；或，未被取代或被如下基團(tuán)取代的富含π電子的C₃-C₆₀環(huán)狀基團(tuán)：氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、C₁-C₆₀烷硫基、苯基、聯(lián)苯基、或其任意組合。