[發(fā)明專利]一種全芳族液晶聚酯及其制備方法和應用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111432079.1 | 申請日: | 2021-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN116178687A | 公開(公告)日: | 2023-05-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 肖澤帆;陳平緒;葉南飚;肖中鵬;姜蘇俊 | 申請(專利權)人: | 金發(fā)科技股份有限公司;珠海萬通特種工程塑料有限公司 |
| 主分類號: | C08G63/60 | 分類號: | C08G63/60;C08G63/80;C09K19/38;C08J5/18;C08L67/03 |
| 代理公司: | 廣州致信偉盛知識產權代理有限公司 44253 | 代理人: | 伍嘉陵;黃爍 |
| 地址: | 510663 廣東省廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 全芳族 液晶 聚酯 及其 制備 方法 應用 | ||
本發(fā)明提供了一種全芳族液晶聚酯,衍生自包括?O?Ar1?CO?結構和?CO?Ar2?CO?結構以及?O?Ar3?O?結構;并且,以Ar1+Ar2+Ar3的總摩爾百分比計,1,4?亞苯基占23.3?79.3mol%,2,6?亞萘基占20?76mol%,1,3?亞苯基和/或1,2亞苯基占0.02?1mol%,其他基團占0?58mol%;?CO?Ar2?CO?結構與?O?Ar3?O?結構的摩爾比為1.1?0.9:1。本發(fā)明通過增加分子鏈對苯撐結構,降低熔融焓,進而實現(xiàn)全芳族液晶聚酯熔點的提高。同時,分子鏈結構匯總引入少量彎折不對稱結構,保持全芳族液晶聚酯良好的薄膜成型性、拉伸強度高。
技術領域
本發(fā)明涉及高分子材料技術領域,特別是涉及一種全芳族液晶聚酯及其制備方法和應用。
背景技術
熱塑性液晶聚酯薄膜由于具有極低介電常數(shù)/介電損耗性能和優(yōu)異撓性,能夠滿足5G通訊技術高頻段信號傳輸對天線材料低信號損耗以及個人終端設備對天線材料多層立體的復雜結構設計要求。
基于5G通訊技術高頻段信號傳輸對個人終端設備天線材料低信號損耗的要求,以及個人智能通訊終端設備對天線材料多層立體的復雜結構設計要求,應用于天線材料的薄膜級熱塑性液晶聚酯樹脂在要求具有極低介電常數(shù)和介電損耗性能和優(yōu)異撓性的同時,還應該能夠具有良好的薄膜成型性能。
除此之外,對于高性能的尖端電子設備,為了滿足在具有復雜立體結構的天線材料實現(xiàn)電子元件實現(xiàn)可靠連接,貼裝焊接加工工藝需要在較高溫度下進行。因此,薄膜級熱塑性液晶聚酯樹脂還必須表現(xiàn)較高的耐高溫性。
對于熱塑性液晶聚酯,其耐高溫性的提升通常通過熔點的提升來實現(xiàn)。一般來說,熱塑性液晶聚酯熔點的增加是通過降低其熔融熵。但是,分子鏈僵直程度過度會導致熱塑性液晶聚酯熔體強度降低而不利于薄膜成型。已有的專利方案中通過少量非芳香族柔性單體的引入雖然能夠維持熱塑性液晶聚酯熔體強度,但是容易導致熱塑性液晶聚酯力學性能降低。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于,提供一種全芳族液晶聚酯,具有耐熱性能好、薄膜成型性好、拉伸強度高的優(yōu)點。
本發(fā)明的另一目的在于,提供上述全芳族液晶聚酯的制備方法和應用。
本發(fā)明是通過以下技術方案實現(xiàn)的:
一種全芳族液晶聚酯,衍生自包括-O-Ar1-CO-結構和-CO-Ar2-CO-結構以及-O-Ar3-O-結構;其中,
Ar1為1,4-亞苯基、1,3-亞苯基、1,2-亞苯基、2,6-亞萘基、2,7-亞萘基、2,2’-亞聯(lián)苯基、2,3’-亞聯(lián)苯基、2,4’-亞聯(lián)苯基、3,3’-亞聯(lián)苯基、3,4’-亞聯(lián)苯基、4,?4’-亞聯(lián)苯基中的至少一種;
Ar2為1,4-亞苯基、1,3-亞苯基、1,2-亞苯基、2,6-亞萘基、2,7-亞萘基、2,2’-亞聯(lián)苯基、2,3’-亞聯(lián)苯基、2,4’-亞聯(lián)苯基、3,3’-亞聯(lián)苯基、3,4’-亞聯(lián)苯基、4,?4’-亞聯(lián)苯基中的至少一種;
Ar3為1,4-亞苯基、1,3-亞苯基、1,2-亞苯基、2,6-亞萘基、2,7-亞萘基、2,2’-亞聯(lián)苯基、2,3’-亞聯(lián)苯基、2,4’-亞聯(lián)苯基、3,3’-亞聯(lián)苯基、3,4’-亞聯(lián)苯基、4,?4’-亞聯(lián)苯基中的至少一種;
并且,以Ar1+Ar2+Ar3的總摩爾百分比計,1,4-亞苯基占23.3-79.3mol%,2,6-亞萘基占20-76mol%,1,3-亞苯基和/或1,2亞苯基占0.01-1mol%,其他基團占0-56.68mol%;
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