[發明專利]一種高速硅光調制器相移臂及其制備方法有效
| 申請號： | 202111429663.1 | 申請日： | 2021-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN114114722B | 公開（公告）日： | 2023-07-04 |
| 發明（設計）人： | 余勝;曹權 | 申請（專利權）人： | 烽火通信科技股份有限公司;武漢飛思靈微電子技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/025 | 分類號： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372 | 代理人： | 許銓芬 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高速 調制器 相移 及其 制備 方法 | ||
1.一種高速硅光調制器相移臂，其特征在于，包括：脊型波導；P型摻雜區和N型摻雜區分別位于所述脊型波導的兩側；
P型摻雜區包括P型重摻區和P型輕摻區；所述P型重摻區位于所述脊型波導的邊界區域，所述P型輕摻區位于所述脊型波導的核心區域；
N型摻雜區包括N型重摻區和N型輕摻區；所述N型重摻區位于所述脊型波導的邊界區域，所述N型輕摻區位于所述脊型波導的核心區域；
所述P型重摻區包括第一P型重摻區、第二P型重摻區和第三P型重摻區；所述N型重摻區包括第一N型重摻區、第二N型重摻區和第三N型重摻區；
所述第一P型重摻區位于所述P型輕摻區遠離所述N型摻雜區的一側，所述第二P型重摻區和所述第三P型重摻區分別位于所述P型輕摻區的頂部和底部；
所述第一N型重摻區位于所述N型輕摻區遠離所述P型摻雜區的一側，所述第二N型重摻區和所述第三N型重摻區分別位于所述N型輕摻區的頂部和底部。
2.根據權利要求1所述的高速硅光調制器相移臂，其特征在于，所述P型輕摻區和所述N型輕摻區位于所述P型重摻區和所述N型重摻區共同形成的包圍結構內。
3.根據權利要求1所述的高速硅光調制器相移臂，其特征在于，所述第二P型重摻區和所述第二N型重摻區之間存在預設間隙，所述第三P型重摻區和所述第三N型重摻區之間存在預設間隙。
4.根據權利要求1所述的高速硅光調制器相移臂，其特征在于，所述第一P型重摻區、所述第二P型重摻區、所述第三P型重摻區和所述P型輕摻區的摻雜濃度由高到低依次為：第二P型重摻區，第一P型重摻區，第三P型重摻區，P型輕摻區。
5.根據權利要求1所述的高速硅光調制器相移臂，其特征在于，所述第一N型重摻區、所述第二N型重摻區、所述第三N型重摻區和所述N型輕摻區的摻雜濃度由高到低依次為：第二N型重摻區，第一N型重摻區，第三N型重摻區，N型輕摻區。
6.根據權利要求1所述的高速硅光調制器相移臂，其特征在于，所述第一P型重摻區、所述第二P型重摻區、所述第三P型重摻區、所述第一N型重摻區、所述第二N型重摻區和所述第三N型重摻區中的一項或多項為非均勻摻雜分布。
7.根據權利要求1所述的高速硅光調制器相移臂，其特征在于，所述第一P型重摻區、所述第二P型重摻區、所述第三P型重摻區、所述第一N型重摻區、所述第二N型重摻區和所述第三N型重摻區的區域范圍包括從脊型波導的實際邊界開始向內縮至少20nm。
8.一種制備高速硅光調制器相移臂的方法，其特征在于，包括：通過離子注入摻雜，將P型重摻區和N型重摻區設置在脊型波導的邊界區域，將P型輕摻區和N型輕摻區設置在脊型波導的核心區域；
其中，所述P型重摻區包括第一P型重摻區、第二P型重摻區和第三P型重摻區；所述N型重摻區包括第一N型重摻區、第二N型重摻區和第三N型重摻區；
所述第一P型重摻區位于所述P型輕摻區遠離N型摻雜區的一側，所述第二P型重摻區和所述第三P型重摻區分別位于所述P型輕摻區的頂部和底部；
所述第一N型重摻區位于所述N型輕摻區遠離P型摻雜區的一側，所述第二N型重摻區和所述第三N型重摻區分別位于所述N型輕摻區的頂部和底部。
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