[發(fā)明專利]一種閃存器件及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202111428327.5
• 申請日: 2021-11-26
• 公開（公告）號: CN114121973A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹子貴
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種閃存器件，其特征在于，包括襯底及位于所述襯底上的兩個存儲位，所述存儲位包括：

溝槽，位于所述襯底內(nèi)；

漏區(qū)，位于所述溝槽底部；

連接氧化層，位于所述漏區(qū)上；

控制柵層，位于所述溝槽中且向上延伸；

兩個浮柵層，位于所述溝槽中并延伸覆蓋部分所述襯底，且兩個所述浮柵層分別位于所述控制柵層的兩側(cè)；

字線層，位于兩個所述存儲位之間，兩個所述存儲位共用所述字線層。

2.如權(quán)利要求1所述的一種閃存器件，其特征在于，所述浮柵層位于所述襯底上的部分具有浮柵尖端，所述浮柵尖端對準(zhǔn)所述字線層。

3.如權(quán)利要求1所述的一種閃存器件，其特征在于，所述閃存器件利用熱電子注入方式進(jìn)行編程操作，利用F-N遂穿效應(yīng)進(jìn)行擦除操作，利用電子從一個所述存儲位內(nèi)的所述漏區(qū)流入另一個所述存儲位內(nèi)的所述漏區(qū)進(jìn)行讀取操作。

4.如權(quán)利要求1所述的一種閃存器件，其特征在于，所述溝槽的深度為

5.一種閃存器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底內(nèi)形成來兩個溝槽及兩個漏區(qū)，所述漏區(qū)位于對應(yīng)的所述溝槽的底部；

在每個所述漏區(qū)上形成連接氧化層；

在每個所述溝槽內(nèi)形成控制柵層及兩個浮柵層，所述控制柵層位于對應(yīng)的所述溝槽中且向上延伸，兩個所述浮柵層位于對應(yīng)的所述溝槽中并延伸覆蓋部分所述襯底，且兩個所述浮柵層分別位于對應(yīng)的所述控制柵層的兩側(cè)，相對應(yīng)的所述溝槽、漏區(qū)、控制柵層及兩個浮柵層構(gòu)成一個存儲位；

在兩個所述存儲位之間的所述襯底上形成字線層，兩個所述存儲位共用所述字線層。

6.如權(quán)利要求5所述的一種閃存器件的制備方法，其特征在于，在所述溝槽中形成兩個所述漏區(qū)之前，包括：

在所述襯底上形成掩模層；

刻蝕所述掩模層以形成貫穿的兩個第一開口；

沿每個所述第一開口繼續(xù)刻蝕所述襯底的部分厚度，以形成所述溝槽；

橫向刻蝕所述掩模層以擴(kuò)寬所述第一開口，形成第二開口，所述第二開口的橫向?qū)挾却笥谒鰷喜鄣臋M向?qū)挾取?/p>

7.如權(quán)利要求6所述的一種閃存器件的制備方法，其特征在于，在每個所述溝槽內(nèi)形成所述控制柵層及兩個所述浮柵層的步驟包括：

在每個所述溝槽內(nèi)形成浮柵多晶硅層，所述浮柵多晶硅層填充對應(yīng)的所述溝槽及所述第二開口；

采用各向同性工藝刻蝕所述第二開口中的所述浮柵多晶硅層的部分厚度，以使所述浮柵多晶硅的表面呈弧形；

在每個所述第二開口的側(cè)壁上形成第一側(cè)墻，所述第一側(cè)墻之間的橫向?qū)挾刃∮谒鰷喜鄣臋M向?qū)挾龋?/p>

以所述第一側(cè)墻為掩模刻蝕所述浮柵多晶硅層，直至露出所述襯底，每個所述第一開口及所述第二開口中剩余的所述浮柵多晶硅層構(gòu)成兩個所述浮柵層，所述浮柵層位于所述襯底上的部分具有浮柵尖端；

對所述溝槽底部的所述襯底進(jìn)行離子注入，以形成所述漏區(qū)。

8.如權(quán)利要求7所述的一種閃存器件的制備方法，其特征在于，形成所述控制柵層的步驟包括：

在每個所述第二開口內(nèi)形成第二側(cè)墻，所述第二側(cè)墻覆蓋對應(yīng)的所述浮柵層；

在所述漏區(qū)上形成所述連接氧化層；

在所述第二開口的部分深度中填充形成所述控制柵層。

9.如權(quán)利要求7所述的一種閃存器件的制備方法，其特征在于，形成所述浮柵多晶硅層之后，還包括：

刻蝕所述掩模層、所述浮柵多晶硅層及所述襯底，以形成若干垂直于所述浮柵層的淺槽隔離結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求7所述的一種閃存器件的制備方法，其特征在于，形成所述字線層的步驟包括：

去除所述掩模層；

在兩個所述存儲位之間形成所述字線層。