[發明專利]一種精確控制占空比的集成振蕩器在審
| 申請號： | 202111425967.0 | 申請日： | 2021-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN114244277A | 公開（公告）日： | 2022-03-25 |
| 發明（設計）人： | 黃少卿;常紅;李燕妃;羅永波;宣志斌;肖培磊 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十八研究所 |
| 主分類號： | H03B5/12 | 分類號： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 葉昕;楊立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 精確 控制 集成 振蕩器 | ||
1.一種精確控制占空比的集成振蕩器，其特征在于，包括偏置電流鏡I1、偏置電流鏡I2，NMOS晶體管N1～N6，電容C1～C3，電阻R1，比較器CMP，反相器INV，還包含緩沖器BUF，其中，
偏置電流鏡I1的第一輸入端接電源VDD，偏置電流鏡I1的第二輸入端與NMOS晶體管N1和N2的漏極相連；
偏置電流鏡I2的第一輸入端接電源VDD，偏置電流鏡I2的第二輸入端與NMOS晶體管N4和N5的漏極相連。
2.根據權利要求1所述一種精確控制占空比的集成振蕩器，其特征在于，所述NMOS晶體管N1的柵極與NMOS晶體管N4和N6的柵極相連，且同為比較器CMP的輸出連接；NMOS晶體管N1的源極與電容C1的第一輸入端相連；
NMOS晶體管N2的柵極與NMOS晶體管N3和N5的柵極相連，且同為反相器INV的輸出連接；NMOS晶體管N2的源極與電阻R1的第一輸入端相連；
NMOS晶體管N3的漏極與電容C1的第一輸入端相連，其源極與電容C1的第二輸入端相連，并同時接地。
3.根據權利要求1所述一種精確控制占空比的集成振蕩器，其特征在于，所述電阻R1的第二輸入端接地。
4.根據權利要求1所述一種精確控制占空比的集成振蕩器，其特征在于，所述NMOS晶體管N4的源極與電容C3的第一輸入端和電阻R1的第一輸入端相連；
NMOS晶體管N5的源極與電容C2的第一輸入端相連；
NMOS晶體管N6的漏極與電容C2的第一輸入端相連，其源極與電容C2的第二輸入端相連，并同時接地；
比較器CMP的正輸入端連接NMOS晶體管N4和N5的漏極，比較器CMP的負輸入端連接NMOS晶體管N1和N2的漏極，比較器CMP的輸出連接反相器INV的輸入；
反相器INV的輸出端分別與NMOS晶體管N2、N3和N5的柵極互連；
所述緩沖器BUF的輸入端連接反相器INV的輸出端，緩沖器BUF的輸出端為振蕩器電路的輸出端。
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