[發明專利]一種用于變壓器隔離的驅動電路

在審

• 申請號: 202111422327.4
• 申請日: 2021-11-26
• 公開（公告）號: CN114094841A
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 鄭其
• 申請（專利權）人: 上海施能電器設備有限公司
• 主分類號: H02M5/10
• 分類號: H02M5/10;H02M7/217;H02M1/32
• 代理公司: 北京維正專利代理有限公司 11508
• 代理人: 劉美蓮

本申請涉及開關電源技術領域，尤其是一種用于變壓器隔離的驅動電路，其初級驅動模塊，用于匹配電壓，提高電路的驅動能力，變壓器隔離模塊，用于提高驅動電路的安全性，次級驅動模塊，用于抑制尖峰電壓，快速放電模塊，用于實現驅動電路的放電，初級驅動模塊與外界的電源連接，初級驅動模塊的一端與整流電路的控制芯片連接，初級驅動模塊的另一端與變壓器隔離模塊的輸入端連接，變壓器隔離模塊的輸出端與次級驅動模塊連接，次級驅動模塊的輸出端與快速放電模塊的輸入端連接，快速放電模塊的輸出端與整流電路的MOS管連接；本申請具有提高驅動電路的工作穩定性的優點。

技術領域

本申請涉及開關電源技術領域，尤其是涉及一種用于變壓器隔離的驅動電路。

背景技術

目前，一般用于大功率的開關電源拓撲有半橋、全橋以及一些相關的軟開關拓撲，而這些拓撲結構的MOSFET的驅動方式主要包括驅動芯片自舉驅動、變壓器隔離驅動、光隔離驅動等。

相關技術中，參照圖1，一般傳統的半橋和全橋的帶負壓驅動電路基本都采用二極管或者PNP三極管快速放電為主。

針對上述相關技術，發明人認為存在以下問題：傳統的半橋和全橋的帶負壓驅動電路在死區時間內存在上沖尖峰超過MOSFET的驅動門檻電壓的風險，這種風險容易導致與驅動電路連接的整流電路的上MOS管和下管直通而炸機。

發明內容

為了提高驅動電路的工作穩定性，本申請提供一種用于變壓器隔離的驅動電路。

本申請提供的一種用于變壓器隔離的驅動電路采用如下的技術方案：

一種用于變壓器隔離的驅動電路，包括：

初級驅動模塊，用于匹配電壓，提高電路的驅動能力；

變壓器隔離模塊，用于提高驅動電路的安全性；

次級驅動模塊，用于抑制尖峰電壓；

快速放電模塊，用于實現驅動電路的放電；

所述初級驅動模塊與外界的電源連接，所述初級驅動模塊的一端與整流電路的控制芯片連接，所述初級驅動模塊的另一端與所述變壓器隔離模塊的輸入端連接，所述變壓器隔離模塊的輸出端與所述次級驅動模塊連接，所述次級驅動模塊的輸出端與所述快速放電模塊的輸入端連接，所述快速放電模塊的輸出端與整流電路的MOS管連接。

通過采用上述技術方案，初級驅動模塊的一端與整流電路的控制芯片連接，初級驅動模塊將整流電路的控制芯片的引腳電流進行放大，此外，初級驅動模塊輸出電壓至變壓器隔離模塊，變壓器隔離模塊將電壓進行壓后輸出至次級驅動模塊，次級驅動模塊吸收尖峰電壓，再將電壓通過快速放電模塊的輸出端輸出至整流電路的MOS管內，驅動整流電路進行整流工作；通過次級驅動電路抑制尖峰電壓，以提高驅動電路的工作穩定性。

優選的，所述次級驅動模塊包括驅動MOS管，所述驅動MOS管的柵極與所述變壓器隔離模塊的輸出端連接，所述驅動MOS管的漏極與所述快速放電模塊連接。

通過采用上述技術方案，通過設置驅動MOS管，驅動MOS管作為控制開關，延長了驅動電路的開通或關斷的時長，進而延長了驅動電路的死區時間，有效地抑制尖峰電壓。

優選的，所述次級驅動模塊還包括驅動電阻，所述驅動電阻接入所述驅動MOS管的柵極。

通過采用上述技術方案，驅動電阻與驅動MOS管內部的電容組合形成RC濾波電路，以進一步吸收電壓尖峰。

優選的，所述初級驅動模塊包括若干個圖騰柱電路，所述圖騰柱電路的輸入端與整流電路的控制芯片連接，所述圖騰柱電路的輸出端與變壓器隔離模塊的輸入端連接。

通過采用上述技術方案，圖騰柱電路利用兩個MOS管構成推挽輸出，以匹配電壓且能提高整流電路的控制芯片的驅動能力。

優選的，所述圖騰柱電路的數量設置為兩組或四組。