[發(fā)明專利]用于熱貼合的阻隔膜及無機膜層的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111421415.2 | 申請日： | 2021-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN113943539A | 公開（公告）日： | 2022-01-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 練文東 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | C09J7/25 | 分類號： | C09J7/25;C09J7/38;C09J7/50;C09J7/40;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/505 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產(chǎn)權代理有限公司 44570 | 代理人： | 王朝云 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 貼合 阻隔 無機 制備 方法 | ||
1.一種用于熱貼合的阻隔膜，其特征在于，包括主體結構，所述主體結構包括：層疊設置的基材、阻擋層和壓敏膠層；所述阻擋層設置于所述基材與所述壓敏膠層之間；
所述阻擋層具有拉應力區(qū)域和壓應力區(qū)域，所述壓應力區(qū)域圍繞所述拉應力區(qū)域；其中，所述拉應力區(qū)域與所述壓應力區(qū)域在受熱后的應力彎曲方向相反。
2.根據(jù)權利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述壓應力區(qū)域單邊寬度小于或等于所在邊的整個膜材長度的10％。
3.根據(jù)權利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述阻擋層的材料包括SiNx、SiOxNy、SiOx和AlOx中的一種或多種。
4.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的阻隔膜，其特征在于，所述壓應力區(qū)域的阻擋層在受熱后，向所述基材的方向翹曲。
5.根據(jù)權利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述壓敏膠層中包含干燥劑；和/或
所述基材為COP基材或PET基材；和/或
所述基材的厚度為25～50μm；和/或
所述壓敏膠層的厚度為25～50μm。
6.根據(jù)權利要求5所述的阻隔膜，其特征在于，所述干燥劑為CaO粒子。
7.根據(jù)權利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述阻隔膜還包括離型膜，所述離型膜設置于所述主體結構的兩側，用以保護所述主體結構；所述離型膜的厚度為50～60μm。
8.一種無機膜層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、提供一基材，通過高頻率射頻電源在所述基材上沉積整面的第一無機膜膜層，形成具有拉應力的膜層；
S2、通過遮罩遮擋的方式，通過低頻率射頻電源在距離所述第一無機膜膜層的膜材邊緣10％以內的外周區(qū)域沉積第二無機膜膜層，在所述外周區(qū)域形成具有壓應力的膜層；
即形成中間區(qū)域具有拉應力、外周區(qū)域具有壓應力的無機膜膜層。
9.根據(jù)權利要求8所述的無機膜層的制備方法，其特征在于，所述無機膜膜層的材料包括SiNx、SiOxNy、SiOx和AlOx中的一種或多種。
10.根據(jù)權利要求8或9所述的無機膜層的制備方法，其特征在于，所述無機膜膜層采用化學氣相沉積法形成的；和/或
在所述無機膜膜層的制備過程中，反應條件為：功率為80～120w，氣體壓力為400～600mtorr，成膜溫度為200～300℃。
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