[發明專利]一種將金屬電極轉移至二維材料上的方法

在審

• 申請號: 202111420791.X
• 申請日: 2021-11-26
• 公開（公告）號: CN114203541A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 葉鐳;林潤峰;黃鑫宇;童磊;彭追日;李政;徐浪浪;繆向水
• 申請（專利權）人: 華中科技大學;湖北江城實驗室
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 汪潔麗

1.一種將金屬電極轉移至二維材料上的方法，其特征在于，包括：

獲取待轉移結構，所述待轉移結構包括襯底、形成于襯底上的過渡層以及形成于過渡層上的金屬電極圖案；

對所述過渡層進行濕法刻蝕，去除未被金屬電極圖案覆蓋的所述過渡層；

通過有機柔性材料將待轉移結構中的金屬電極圖案從所述過渡層上整體粘起并貼合至目標結構中的二維材料上；

去除所述有機柔性材料，完成金屬電極與二維材料的范德華接觸。

2.如權利要求1所述的將金屬電極轉移至二維材料上的方法，其特征在于，所述獲取待轉移結構，包括：

提供轉移襯底；

在所述轉移襯底上生長過渡層；

在所述過渡層上形成圖案化的光刻膠層；

蒸鍍金屬材料并去除光刻膠層，得到位于所述過渡層上的金屬電極圖案。

3.如權利要求1所述的將金屬電極轉移至二維材料上的方法，其特征在于，所述過渡層的高度范圍為250nm～350nm。

4.如權利要求1所述的將金屬電極轉移至二維材料上的方法，其特征在于，所述金屬電極圖案包括底部的Cr和頂部的Au，其中Cr的高度范圍為8nm～12nm，Au的高度范圍為40nm～120nm。

5.如權利要求1所述的將金屬電極轉移至二維材料上的方法，其特征在于，對所述過渡層進行刻蝕，去除未被金屬電極圖案覆蓋的所述過渡層以及部分被所述金屬電極圖案覆蓋的過渡層。

6.如權利要求1所述的將金屬電極轉移至二維材料上的方法，其特征在于，所述有機柔性材料包括柔性支撐層和位于所述柔性支撐層上的柔性黏附層，所述有機柔性材料通過所述柔性黏附層粘起金屬電極圖案。

7.如權利要求6所述的將金屬電極轉移至二維材料上的方法，其特征在于，所述柔性支撐層包括PDMS或PMMA，所述柔性黏附層包括PVA；

去除所述有機柔性材料包括：

加熱所述目標結構，將所述柔性支撐層從所述目標結構上撕離；

將去除柔性支撐層的目標結構置于溶液中溶解去除所述柔性黏附層。

8.如權利要求1所述的將金屬電極轉移至二維材料上的方法，其特征在于，通過有機柔性材料將待轉移結構中的金屬電極圖案從所述過渡層上整體粘起后，通過轉移臺上的對準組件對金屬電極圖案和目標結構進行對準貼合。

9.如權利要求1所述的將金屬電極轉移至二維材料上的方法，其特征在于，所述過渡層為氧化層。