[發明專利]一種晶硅電池的鈍化結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202111419080.0
• 申請日: 2021-11-26
• 公開（公告）號: CN114373807A
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 朱英明;曹育娟;孟祥國;胡磊振;邱凱坤
• 申請（專利權）人: 江蘇科來材料科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;C11D1/72;C11D3/04;C11D3/06;C11D3/08;H01L31/18;C11D3/60;C30B31/02;C30B33/00;C30B29/06
• 代理公司: 江蘇弘揚知識產權代理有限公司 32495
• 代理人: 倪曉梅

1.一種晶硅電池的鈍化結構，包括硅片，其特征在于，所述硅片的背側面做拋光處理，所述硅片拋光處理的一側制備有遂穿氧化層，所述遂穿氧化層的背側面上制備有第一I-Si:H本征層，所述I-Si:H本征層的背側面制備有第一含磷多晶硅層，所述第一含磷多晶硅層的背側面上制備有減反射膜層。

2.根據權利要求1所述的一種晶硅電池的鈍化結構，其特征在于，所述第一含磷多晶硅層的背側面上還依次制備有第二I-Si:H本征層和第二含磷多晶硅層，所述減反射膜層設置于第二含磷多晶硅層的背側面上。

3.根據權利要求1所述的一種晶硅電池的鈍化結構，其特征在于，所述減反射膜為氮化硅減反射膜，所述氮化硅減反射膜的膜厚為50-90μm，所述氮化硅減反射膜的折射率為1.8-2.4。

4.根據權利要求1所述的一種晶硅電池的鈍化結構，其特征在于，所述硅片電阻率范圍1-7Ω.cm，少子壽命≥1000μs，間隙氧含量≤8E+17at/cm3。

5.根據權利要求1所述的一種晶硅電池的鈍化結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1.通過清洗劑進行硅片的清洗，然后制備拋光劑在槽式機內進行硅片背側面的拋光處理；

S2.將S1處理得到的硅片放置在沉積室內，然后將沉積室內抽至真空，再通過加熱爐控制沉積室溫度在580-630℃，并持續向沉積室內以恒定流量通入2-4L氧氣，持續25-35min，將沉積室內的溫度降低至100℃，靜置20min后，硅片背側面上形成有遂穿氧化層；

S3.將沉積室內的溫度上升至600-650℃，并以500-650sccm向沉積室內通入SiH₄，持續2-8min，遂穿氧化層的背側面上形成有第一I-Si:H本征層；

S4.向沉積室內以450-800sccm通入三氧氯磷、以300-500sccm通入氧氣，維持5-10min，使得第一I-Si:H本征層的背側面上形成有第一含磷多晶硅層；

S5.重復S3-S4，使得第一含磷多晶硅層的背側面上依次形成有第二I-Si:H本征層和第二含磷多晶硅層，并將沉積室內升溫至700-750℃，持續30min，得到帶有鈍化結構的粗品晶硅電池。

6.根據權利要求3所述的一種晶硅電池的鈍化結構的制備方法，其特征在于，所述清洗劑包括以下質量分數的組分制備而成：

氫氧化鉀5-15份；

硅酸鈉10-15份；

磷酸氫鉀1-2份；

十二烷基聚氧乙烯醚10-20份；

去離子水300-500份。

7.根據權利要求4所述的一種晶硅電池的鈍化結構的制備方法，其特征在于，所述拋光劑包括以下質量分數的組分制備而成：

氫氧化鈉1-3份；

脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚1-3份；

聚氧乙烯醚2-7份；

乙烯基雙硬脂酰胺1-3份；

去離子水40-50份。