[發(fā)明專利]石墨烯聲表面波濾波器件及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111417968.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-11-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114094982A | 公開(公告)日: | 2022-02-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邱偉成;潘孟春;胡悅國;郭顏瑞;李裴森;胡佳飛;彭俊平;張琦 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國人民解放軍國防科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H03H9/64 | 分類號(hào): | H03H9/64;H03H3/10;C01B32/186 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 黃麗;趙云頡 |
| 地址: | 410073 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 石墨 表面波 濾波 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種石墨烯聲表面波濾波器件,其特征在于,包括由下至上依次設(shè)置的壓電基底(1)、催化金屬電極層(2)以及石墨烯層(3),所述石墨烯層(3)與所述催化金屬電極層(2)共同組成石墨烯叉指電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯聲表面波濾波器件,其特征在于,所述催化金屬電極層(2)是以具有催化裂解碳源功能的過渡金屬為原料制備得到。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨烯聲表面波濾波器件,其特征在于,所述過渡金屬包括鐵、鈷、鎳和銅中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的石墨烯聲表面波濾波器件,其特征在于,所述催化金屬電極層(2)的厚度≤10nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的石墨烯聲表面波濾波器件,其特征在于,所述壓電基底(1)的構(gòu)成材料為鈮酸鋰、鉭酸鋰或Ⅲ-Ⅴ族化合物壓電材料。
6.一種如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的石墨烯聲表面波濾波器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、將壓電基底(1)進(jìn)行清洗;
S2、在壓電基底(1)上圖形化制備催化金屬電極層(2);
S3、在催化金屬電極層(2)上生長石墨烯,形成石墨烯叉指電極,得到石墨烯聲表面波濾波器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的石墨烯聲表面波濾波器件的制備方法,其特征在于,步驟S3中,所述石墨烯的生長采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行實(shí)施,其中,反應(yīng)溫度為550℃~800℃,反應(yīng)時(shí)間為10s~100s。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的石墨烯聲表面波濾波器件的制備方法,其特征在于,步驟S2中,所述圖形化制備催化金屬電極層(2)包括以下步驟:在所述壓電基底(1)上沉積催化金屬薄膜,然后在催化金屬薄膜上旋涂光刻膠、曝光、顯影后,以光刻膠為掩膜Ar離子刻蝕出預(yù)設(shè)圖形,去除光刻膠,得到催化金屬電極層(2);
或者,步驟S2中,所述圖形化制備催化金屬電極層(2)包括以下步驟:在所述壓電基底(1)上旋涂光刻膠、曝光、顯影后,沉積預(yù)設(shè)圖形的催化金屬薄膜并浸泡丙酮進(jìn)行剝離,得到催化金屬電極層(2)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的石墨烯聲表面波濾波器件的制備方法,其特征在于,步驟S2中,所述催化金屬電極層(2)采用電子束蒸發(fā)或磁控濺射方式沉積。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的石墨烯聲表面波濾波器件的制備方法,其特征在于,步驟S1中,所述清洗過程為:將壓電基底(1)先用丙酮溶液超聲清洗5min~10min,然后用異丙醇溶液超聲清洗5min~10min,再用水超聲清洗5min~10min,用氮?dú)獯蹈桑貜?fù)上述步驟直至用顯微鏡觀察壓電基底(1)的表面無雜質(zhì)顆粒和水漬。
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