[發(fā)明專利]金屬柵制程下偽柵極的去除方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111417812.2
• 申請(qǐng)日: 2021-11-26
• 公開（公告）號(hào): CN114121676A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏禹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 顧浩

1.一種金屬柵制程下偽柵極的去除方法，

在硅襯底上形成有偽柵極，偽柵極上依次設(shè)有氮化硅硬掩模層、氧化物硬掩模層，在兩側(cè)從內(nèi)到外依次設(shè)有第一側(cè)墻、第二側(cè)墻、第三側(cè)墻；

其特征在于，包含：

S1：去除第三側(cè)墻；

S2：沉積接觸孔阻擋層；

S3：沉積第一氧化物內(nèi)層電介質(zhì)層、氮化硅內(nèi)層電介質(zhì)層、第二氧化物內(nèi)層電介質(zhì)層，形成氧化物-氮化物-氧化物三層內(nèi)層電介質(zhì)層；

S4：采用機(jī)械化學(xué)拋光工藝，將三層內(nèi)層電介質(zhì)層的頂部磨平；

S5：刻蝕，上表面平整地至氮化硅硬掩模層的頂部；

S6：去除氮化硅硬掩模層，去除偽柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬柵制程下偽柵極的去除方法，其特征在于，在硅襯底上設(shè)有NMOS區(qū)、PMOS區(qū)、淺溝道隔離。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬柵制程下偽柵極的去除方法，其特征在于，

在PMOS區(qū)處進(jìn)行鍺硅進(jìn)程；

在NMOS區(qū)處氧化物硬掩模層比在PMOS區(qū)處氧化物硬掩模層厚。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬柵制程下偽柵極的去除方法，其特征在于，

第一側(cè)墻為氮碳硅；第二側(cè)墻為氧化物；第三側(cè)墻為氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬柵制程下偽柵極的去除方法，其特征在于，

在步驟S2中的接觸孔阻擋層為氮化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬柵制程下偽柵極的去除方法，其特征在于，

在步驟S3中的沉積第一氧化物內(nèi)層電介質(zhì)層高于最高的氧化物硬掩模層，將所有的氧化物硬掩模層都覆蓋在第一氧化物內(nèi)層電介質(zhì)層內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬柵制程下偽柵極的去除方法，其特征在于，

在步驟S4中的采用氮化硅/氧化物高研磨選擇比進(jìn)行研磨。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬柵制程下偽柵極的去除方法，其特征在于，

在步驟S5中的采用干法刻蝕將三層內(nèi)層電介質(zhì)層、接觸孔阻擋層、第二側(cè)墻、第一側(cè)墻、氧化物硬掩模層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬柵制程下偽柵極的去除方法，其特征在于，

在步驟S6后，在去除了偽柵極的孔中形成高介電常數(shù)絕緣層，再形成金屬柵極。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9其中任一項(xiàng)所述的金屬柵制程下偽柵極的去除方法，其特征在于，適用于技術(shù)節(jié)點(diǎn)為28納米以下的制程。