[發(fā)明專利]一種Y-Gd基合金及包括該基合金的釹鈰鐵硼磁體與制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111414067.6
• 申請日: 2021-11-25
• 公開（公告）號: CN114196864B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發(fā)明（設計）人: 崔熙貴;舒剛易;崔承云;張潔;梁文接;趙志航;黃欣;葛鑫
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇大學
• 主分類號: C22C30/02
• 分類號: C22C30/02;C22C28/00;B22F9/04;C22C1/02;H01F41/02;H01F1/057;B22F3/14
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1.一種釹鈰鐵硼磁體，其特征在于，包括Y-Gd基合金，所述Y-Gd基合金組分的原子百分比含量為：Y：5-30%，Cu：5-25%，Al：5-25%，其余為Gd和不可避免的雜質(zhì)；

所述釹鈰鐵硼磁體的制備方法為：采用Y-Gd基合金晶界改性技術(shù)制備釹鈰鐵硼磁體，

所述晶界改性技術(shù)為晶界擴散或晶界添加；

所述晶界擴散為：

步驟S11：將釹鈰鐵硼磁體切割成所需尺寸，然后進行打磨、拋光；

步驟S22：將熔鑄制得的Y-Gd基合金切割成薄片；

步驟S33：將熔鑄的Y-Gd基合金薄片或快淬的Y-Gd基合金粉置于拋光的釹鈰鐵硼磁體表面；

步驟S44：將步驟S33制得的磁體置于真空熱處理爐中進行擴散熱處理，使Y-Gd基合金晶界擴散入磁體中，最終制得高性能熱穩(wěn)定釹鈰鐵硼磁體；

所述晶界添加為：

步驟S11）：將釹鈰鐵硼磁粉與快淬的Y-Gd基合金粉按照比例均勻混合，或者將釹鐵硼磁粉、鈰鐵硼磁粉與快淬的Y-Gd基合金粉按比例均勻混合；

步驟S22）：將步驟S11）制得的混合粉在1.2-2.0T的磁場中壓制成型坯件，或者將步驟S11）制得的混合粉裝入熱壓爐模具中熱壓制成熱壓磁體；

步驟S33）：將型坯件在真空或氬氣保護氣氛下分別進行燒結(jié)和兩級回火，制得晶界改性的燒結(jié)釹鈰鐵硼磁體，或者將熱壓磁體置于熱變形模具中進行熱變形處理，制得晶界改性的熱變形釹鈰鐵硼磁體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釹鈰鐵硼磁體，其特征在于，所述Y-Gd基合金由熔鑄工藝制備或快淬工藝制備；

所述熔鑄工藝制備包括以下步驟：

步驟S1：按照Y-Gd基合金成分配比配制原材料；

步驟S2：將配制的原材料在真空熔煉爐中進行反復熔煉，并鑄造成塊體合金；

所述快淬工藝制備包括以下步驟：

步驟S1）：按照Y-Gd基合金成分配比配制原材料；

步驟S2）：將配制的原材料在真空熔煉爐中進行反復熔煉，并鑄造成塊體合金；

步驟S3）：將塊體合金在真空快淬爐中進行快淬，制成快淬帶材；

步驟S4）：快淬帶材進行研磨或球磨制成Y-Gd基合金粉。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的釹鈰鐵硼磁體，其特征在于，所述反復熔煉的次數(shù)不小于3次，快淬速度為10-50m/s。

4.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述釹鈰鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

采用Y-Gd基合金晶界改性技術(shù)制備釹鈰鐵硼磁體，所述晶界改性技術(shù)為晶界擴散或晶界添加。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的釹鈰鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，所述晶界改性技術(shù)為晶界擴散；所述晶界擴散的具體步驟為：

步驟S11：將釹鈰鐵硼磁體切割成所需尺寸，然后進行打磨、拋光；

步驟S22：將熔鑄制得的Y-Gd基合金切割成薄片；

步驟S33：將熔鑄的Y-Gd基合金薄片或快淬的Y-Gd基合金粉置于拋光的釹鈰鐵硼磁體表面；

步驟S44：將步驟S33制得的磁體置于真空熱處理爐中進行擴散熱處理，使Y-Gd基合金晶界擴散入磁體中，最終制得高性能熱穩(wěn)定釹鈰鐵硼磁體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的釹鈰鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，釹鈰鐵硼磁體為單主相燒結(jié)磁體或熱變形磁體。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的釹鈰鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，釹鈰鐵硼磁體為多主相燒結(jié)磁體或熱變形磁體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的釹鈰鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，燒結(jié)釹鈰鐵硼磁體的擴散熱處理工藝為擴散溫度850-950℃，時間2-10h；熱變形釹鈰鐵硼磁體的擴散熱處理工藝為擴散溫度550-750℃，時間2-4h。