[發明專利]納米高熵氧化物陶瓷粉體及其制備方法在審
| 申請號： | 202111413009.1 | 申請日： | 2021-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN113929449A | 公開（公告）日： | 2022-01-14 |
| 發明（設計）人： | 徐帥;李炳生;戴亞堂;廖慶 | 申請（專利權）人： | 西南科技大學 |
| 主分類號： | C04B35/46 | 分類號： | C04B35/46;C04B35/48;C04B35/495;C04B35/626;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都方圓聿聯專利代理事務所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 王悅 |
| 地址： | 621010 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 氧化物 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.納米高熵氧化物陶瓷粉體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)原料準備，原料微米級粉體TiC、ZrC、HfC、NbC、TaC；
(2)將上述各種原料粉體按等摩爾分子量進行配比，球磨，得到碳化物陶瓷混合粉體；
(3)將上述所制得的球磨粉體進行熱壓燒結，得到單相高熵碳化物陶瓷；
(4)將單相高熵碳化物陶瓷采用機械方式進行破碎；
(5)將破碎的單相高熵碳化物陶瓷粉體氧化，獲得納米高熵氧化物陶瓷粉體。
2.根據權利要求1所述的納米高熵氧化物陶瓷粉體的制備方法，其特征在于：步驟(1)中原料采用純度＞99.5％、粒度為400-800目粉體。
3.根據權利要求1所述的納米高熵氧化物陶瓷粉體的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述的球磨參數：球料比，即球磨介質與物料的質量比為8-10:1，球磨介質為硬質陶瓷球，轉速設定為200-300r/min，按照球磨2-4小時冷卻一小時的方式進行多次球磨，球磨時間為20-30h。
4.根據權利要求3所述的納米高熵氧化物陶瓷粉體的制備方法，其特征在于：步驟(2)所得的碳化物陶瓷混合粉體尺寸小于20μm。
5.根據權利要求1所述的納米高熵氧化物陶瓷粉體的制備方法，其特征在于：步驟(3)中所述的熱壓燒結，將所制得的碳化物陶瓷混合粉體在1800～2200℃條件下進行熱壓燒結，升溫速率控制在10℃/min以下，1500℃開始加壓到50-100MPa，得到的晶粒尺寸小于50μm的單相高熵碳化物陶瓷。
6.根據權利要求1所述的納米高熵氧化物陶瓷粉體的制備方法，其特征在于：步驟(4)中所述的破碎，破碎至顆粒尺寸小于500μm。
7.根據權利要求1所述的納米高熵氧化物陶瓷粉體的制備方法，其特征在于：步驟(4)中所述氧化，為在900-1200℃馬弗爐中氧化3-5h。
8.納米高熵氧化物陶瓷粉體，其特征在于：根據權利要求1到7任一項所述的制備方法所得。
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