[發(fā)明專利]存儲裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111412363.2 | 申請日： | 2017-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN114122003A | 公開（公告）日： | 2022-03-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 田上政由;勝又龍?zhí)?/a>;飯島純;清水徹哉;臼井孝公;藤田弦暉 | 申請（專利權(quán)）人： | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/11582 | 分類號： | H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11556;H01L27/11524;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 楊林勳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲 裝置 | ||
1.一種存儲裝置，其特征在于包括：
第1存儲單元陣列，包含多個第1電極層、第1導電層及第1半導體柱，且
所述多個第1電極層在第1方向上積層，
所述第1導電層在所述第1方向上設置在所述第1電極層的上方，
所述第1半導體柱在所述第1方向上延伸而貫通所述第1電極層，所述第1半導體柱與所述第1導電層連接；
第1接觸插塞，貫通所述第1電極層而沿著所述第1方向延伸，且所述第1接觸插塞與所述第1導電層連接；
第2存儲單元陣列，在所述第1方向上設置在所述第1存儲單元陣列的上方，所述第2存儲單元陣列包含多個第2電極層、第2導電層及第2半導體柱，且
所述多個第2電極層在第1方向上積層，
所述第2導電層在所述第1方向上設置在所述第2電極層的上方，所述第2半導體柱在所述第1方向上延伸而貫通所述第2電極層，
所述第2半導體柱與所述第2導電層連接；
第2接觸插塞，貫通所述第2電極層，沿著所述第1方向延伸，且所述第2接觸插塞與所述第2導電層連接；以及
連接金屬，設置在所述第1和第2存儲單元陣列之間，且所述連接金屬將所述第1接觸插塞與所述第2導電層電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：
所述第1存儲單元陣列包含：在每個所述第1電極層和所述第1半導體柱之間分別設置的第1存儲單元；且
所述第2存儲單元陣列包含：在每個所述第2電極層和所述第2半導體柱之間分別設置的第2存儲單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：
所述第1存儲單元陣列包含：設置在所述第1半導體柱和所述第1電極層之間的第1存儲器膜；且
所述第2存儲單元陣列包含：設置在所述第2半導體柱和所述第2電極層之間的第2存儲器膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：
所述第1存儲單元陣列還包含電連接于所述第1半導體柱的第1配線，所述第1半導體柱具有第1端及與所述第1端相對的第2端，所述第1端與所述第1導電層連接，所述第2端與所述第1配線電連接；且
所述第2存儲單元陣列還包含電連接于所述第2半導體柱的第2配線，所述第2半導體柱具有第3端及與所述第3端相對的第4端，所述第3端與所述第2導電層連接，所述第4端與所述第2配線電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：
所述第1接觸插塞通過第1絕緣膜與所述第1電極層電絕緣；且
所述第2接觸插塞通過第2絕緣膜與所述第2電極層電絕緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：
所述第1和第2導電層各自包含在所述第1方向上積層的金屬層和半導體層；且
所述第1和第2半導體柱各自連接于所述半導體層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：
所述連接金屬將所述第1接觸插塞與所述第2接觸插塞電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：
所述連接金屬設置在所述第1接觸插塞和所述第2接觸插塞之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：
所述第1存儲單元陣列還包含在所述第1方向上積層的多個其他第1電極層，所述第1電極層和所述其他第1電極層在與所述第1方向交叉的第2方向上排列；且
所述第1接觸插塞設置在所述第1電極層和所述其他第1電極層之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲裝置，其特征在于：
所述第2存儲單元陣列還包含在所述第1方向上積層的多個其他第2電極層，所述第2電極層及所述其他第2電極層在所述第2方向上排列；且
所述第2接觸插塞設置在所述第2電極層和所述其他第2電極層之間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
