[發明專利]一種有機電致發光裝置、顯示裝置和照明裝置在審
| 申請號: | 202111411202.1 | 申請日: | 2021-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN114122098A | 公開(公告)日: | 2022-03-01 |
| 發明(設計)人: | 朱波;姜坤;曹建華;董煥章;唐偉;王志杰;李程輝;徐先鋒 | 申請(專利權)人: | 上海八億時空先進材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京細軟智谷知識產權代理有限責任公司 11471 | 代理人: | 趙洋洋 |
| 地址: | 200120 中國(上海)自由貿易試驗區張東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 裝置 顯示裝置 照明 | ||
本發明涉及一種有機電致發光裝置、顯示裝置和照明裝置,本發明所述的有機電致發光裝置集成了有機電致發光元件和外部發光層的獨立單元多發光層的有機電致發光裝置,將熱穩定性或氧化、還原穩定性差但內量子效率高的材料移出有機電致發光元件內部,轉移到有機電致發光元件出光的一側外部,利用有機電致發光元件的發射光激發外部發光層的材料同時發光,或僅使外部發光層發光,避免穩定性不好的材料直接與電激子接觸,提高了發光效率和壽命。
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種有機電致發光裝置、顯示裝置和照明裝置。
背景技術
有機電致發光元件(OLED)由陰極、陽極和在陰極與陽極之間的有機發光材料堆疊而成,通過在元件陰極和陽極兩端施加電壓,將電能轉換成光,具有寬廣角、高對比度和更快的響應時間等優點。伊斯曼柯達公司的Tang和Van Slyke于1987年報道了一種有機發光元件,芳基胺空穴傳輸層和三(8-羥基喹啉)鋁層作為電子傳輸層和發光層(AppliedPhysics Letters,1987,51(12):913-915)。在元件兩端施加電壓后,綠光從元件中發射出來,這個發明為現代有機發光二極管(OLEDs)的發展奠定了基礎。OLEDs具有成本低功耗低、亮度高、視角寬、厚度薄等優點,經過幾十年的發展,已經在顯示和照明領域得到了廣泛的應用。
一般而言,有機發光層可依據發光機制分為三類:熒光材料、磷光材料和熱致延遲熒光(TADF)材料。熒光材料是最早被用于OLEDs元件的制備,隨后在1998年左右,磷光材料也被成功地應用于OLEDs技術中,而且相較于熒光,它擁有更好的能量使用效率。而近幾年,TADF材料憑借足以媲美磷光材料的效率,吸引了各界的注意。
除了磷光材料的高制備成本外,藍光一直是磷光材料的最大罩門,即便經歷了長達20年的產學研究,仍舊無法開發出兼具效率、穩定性和純色的藍色磷光材料,而寄予重望的TADF材料,光譜太寬,發出的光色不純。如今所有的OLEDs顯示屏,仍舊采用熒光材料作為藍光光源,為使其擁有足夠亮度,藍色像素的大小約是紅色跟綠色的兩倍,且效率和壽命仍是其短板。影響OLEDs效率和壽命的因素眾多,從OLEDs內部來講,由于元件在外加驅動電壓下,電子和空穴被注入元件內部,會產生較多的熱量,有機材料的熱穩定性、氧化還原穩定性會影響到元件的壽命。
鑒于以上原因,特提出本發明。
發明內容
為了解決現有技術存在的以上問題,本發明提供了一種有機電致發光裝置、顯示裝置和照明裝置,本發明所述的有機電致發光裝置集成了有機電致發光元件和外部發光層的獨立單元多發光層,將熱穩定性或氧化、還原穩定性差但內量子效率高的材料移出有機電致發光元件內部,轉移到有機電致發光元件出光的一側外部,利用有機電致發光元件的發射光激發外部發光層的材料同時發光,或僅使外部發光層發光,避免穩定性不好的材料直接與電激子接觸,提高了發光效率和壽命。
本發明的第一目的,提供了一種有機電致發光裝置,包括一個基板、一個有機電致發光元件和一個外部電驅動,還包括外部發光層和保護層,所述有機電致發光元件設置在基板上,所述外部發光層設置在有機電致發光元件上方,且設置在有機電致發光元件的發射方向一側,所述保護層設置在所述外部發光層上方。
進一步的,所述有機電致發光元件包括陽極層、陰極層和設置在陽極層和陰極層之間的至少一個有機層,所述的外部電驅動分別與所述陽極層和陰極層連接。
進一步的,所述外部發光層與有機電致發光元件接觸連接,所述的保護層與所述外部發光層接觸連接。
進一步的,外部發光層可以是一層或多層。
進一步的,所述有機電致發光元件發射第一本征峰值波長,所述外部發光層發射第二本征峰值波長。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





