[發明專利]一種MPCVD生長單晶金剛石的調溫方法在審
| 申請號： | 202111409327.0 | 申請日： | 2021-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN114134564A | 公開（公告）日： | 2022-03-04 |
| 發明（設計）人： | 紀生曉;周良杰;楊霄;王臨喜;陳濤;張能健;陳秀華;楊張泉 | 申請（專利權）人： | 福建鑫德晶新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/16 | 分類號： | C30B25/16;C30B25/20;C30B25/18;C30B29/04 |
| 代理公司： | 福州旭辰知識產權代理事務所(普通合伙) 35233 | 代理人： | 盧麗花 |
| 地址： | 350200 福建省福州市長樂市文武*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mpcvd 生長 金剛石 調溫 方法 | ||
1.一種MPCVD生長單晶金剛石的調溫方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1、選取厚度低于籽晶厚度的金剛石，通過激光進行切割成多條長寬一致的金剛石隔條，然后放入MPCVD設備內刻蝕金剛石隔條的切割面；
步驟S2、將金剛石隔條和金剛石籽晶進行預處理，然后在鉬樣品托上擺放好預處理好的金剛石隔條和金剛石籽晶，將金剛石隔條和金剛石籽晶相互拼接；
步驟S3、將擺放好的鉬樣品托放入MPCVD設備的腔體內，進行金剛石同質外延生長，生長過程中金剛石隔條和金剛石籽晶的熱量會進行相互傳遞，從而解決了在金剛石沉積過程中籽晶之間溫度不均的問題。
2.根據權利要求1所述的一種MPCVD生長單晶金剛石的調溫方法，其特征在于：所述步驟S1中的金剛石隔條的長度范圍為5mm-8mm之間，寬度范圍為0.4mm-1mm之間，所述MPCVD設備內刻蝕參數為：氫氣氣氛下刻蝕20～60分鐘。
3.根據權利要求1所述的一種MPCVD生長單晶金剛石的調溫方法，其特征在于：所述步驟S2中預處理方式具體為：濃硫酸酸洗2次，每次20min，丙酮和去離子水依次超聲2～10min。
4.根據權利要求1所述的一種MPCVD生長單晶金剛石的調溫方法，其特征在于：所述步驟S3中金剛石同質外延生長的沉積參數為：MPCVD設備的功率4000～5500W，腔體壓力18～25kPa，氫氣流量300～500sccm，甲烷流量占氫氣的4～8％，生長溫度750～950℃。
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