[發(fā)明專利]一種含硫高折射率單體及其應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111409228.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-11-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114014789A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 萬(wàn)曉君;朱曉群;聶俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇集萃光敏電子材料研究所有限公司 |
| 主分類號(hào): | C07C329/16 | 分類號(hào): | C07C329/16;C07C333/04;C07C333/10;C07C333/08;C07D305/06;C09D4/00;C09D4/02 |
| 代理公司: | 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 馬曉敏 |
| 地址: | 214213 江蘇省無(wú)錫市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 含硫高 折射率 單體 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種含硫高折射率單體,其特征在于,具有如下式(Ⅰ)或式(Ⅱ)的化學(xué)結(jié)構(gòu):
其中A1選自含硫原子的烯烴基、含氧原子或硫原子的β-烯酮基、含氧原子或硫原子的酰胺類烯烴基、含氧原子或硫原子的氨基類烯酸酯基、含氧原子或硫原子的環(huán)烷基中的任意一種,A2選自烯烴基、直鏈或支鏈環(huán)氧基、直鏈或支鏈環(huán)硫基中的任意一種;其中n的取值范圍為0-20。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含硫高折射率單體,其特征在于,所述n的取值范圍為1-3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含硫高折射率單體,其特征在于,所述A1具體選自如下任意一種化學(xué)結(jié)構(gòu)基團(tuán):
A2選自具體選自如下任意一種化學(xué)結(jié)構(gòu)基團(tuán):
A1、A2中的X均為氧原子或硫原子,表示與A1或A2連接的鍵。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的含硫高折射率單體應(yīng)用于光電子行業(yè)中,其特征在于,應(yīng)用時(shí)將所述含硫高折射率單體進(jìn)行全固含量的光固化聚合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的應(yīng)用,其特征在于,將所述含硫高折射率單體與光引發(fā)劑按照質(zhì)量百分比為(94%-98%):(2%-6%)的比例均勻混合成全固含量光固化聚合體系,在光強(qiáng)度為I365nm=1mW/cm2下進(jìn)行光固化聚合,聚合產(chǎn)物的折射率至少為1.6。
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