[發明專利]一種氧化銅的制備方法在審
| 申請號： | 202111405858.2 | 申請日： | 2021-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN114014350A | 公開（公告）日： | 2022-02-08 |
| 發明（設計）人： | 謝尚珍;黃璐;任葶葶;劉鵬;戈延林;陳林根 | 申請（專利權）人： | 武漢工程大學 |
| 主分類號： | C01G3/02 | 分類號： | C01G3/02 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 陳熙 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化銅 制備 方法 | ||
1.一種氧化銅的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1，配置具有氧化功能的化學溶液；
步驟2，將銅片浸入配置好的所述化學溶液進行化學反應，得到層級納米結構的氫氧化銅；
步驟3，將所述層級納米結構的氫氧化銅取出進行干燥處理，得到具備超親水特性的氫氧化銅；
步驟4，將所述具備超親水特性的氫氧化銅進行脫水處理，得到具備超疏水特性的氧化銅。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟4之后還包括：
步驟5，將所述具備超疏水特性的氧化銅置于120攝氏度的去離子水中加熱，得到具備超親水特性的氧化銅。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟4，具體包括：
將所述具備超親水特性的氫氧化銅置于200攝氏度的環境下進行脫水處理60分鐘，得到具備超疏水特性的氧化銅。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，所述層級納米結構包括單層納米草結構或雙層納米草花結構中的至少一項，所述步驟2，具體包括：
將所述銅片浸入配置好的所述化學溶液反應第一時長后，得到單層納米草結構的氫氧化銅；
或者，將所述銅片浸入配置好的所述化學溶液，反應第二時長后，得到雙層納米草花結構的氫氧化銅；
其中，所述第一時長不小于5分鐘，所述第二時長不小于10分鐘。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，在所述步驟1之前還包括以下步驟：
對所述銅片進行去雜質處理，得到去除雜質后的銅片，所述去雜質處理包括物理處理或化學處理中的至少一項。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，在所述銅片的厚度大于設定值時，所述步驟2，具體包括：
將所述銅片浸入配置好的40攝氏度下的化學溶液進行化學反應，得到層級納米結構的氫氧化銅；
在所述銅片的厚度不大于所述設定值，所述步驟2，具體包括：
將所述銅片浸入配置好的常溫下的化學溶液進行化學反應，得到層級納米結構的氫氧化銅。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，所述步驟3，具體包括：
將所述層級納米結構的氫氧化銅取出進行清洗，將清洗后的氫氧化銅取出進行常溫下自然干燥5分鐘，以使所述清洗后的氫氧化銅表面干燥，得到具備超親水特性的氫氧化銅。
8.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，所述步驟1，具體包括：
將NaOH溶液和(NH4)2S2O8溶液配置為所述具有氧化功能的化學溶液。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述NaOH溶液和所述(NH4)2S2O8溶液的配置比例為250：13。
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