[發明專利]光學半導體器件

在審

• 申請號: 202111404598.7
• 申請日: 2021-11-24
• 公開（公告）號: CN114552391A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 中村厚;滝田隼人;浜田重剛;中島良介;荒澤正敏;鷲野隆
• 申請（專利權）人: 朗美通日本株式會社
• 主分類號: H01S5/227
• 分類號: H01S5/227;H01S5/343
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳茜

1.一種光學半導體器件，包括：

襯底；

設置在襯底上的臺面結構；

與臺面結構的兩側接觸設置的半導體掩埋層；和

包含金的電極，其設置在半導體掩埋層上方，其中：

臺面結構包括從襯底側按以下順序堆疊的第一導電類型半導體層、多量子阱層和第二導電類型半導體層，

所述半導體掩埋層包括與所述臺面結構的側部接觸設置的第一半絕緣InP層、與所述第一半絕緣InP層接觸設置的第一抗擴散層、以及設置在所述第一抗擴散層上的第二半絕緣InP層，并且

第一抗擴散層的金擴散常數小于第一半絕緣體InP層的金擴散常數。

2.根據權利要求1所述的光學半導體器件，其中：

臺面結構還包括在第二導電類型半導體層上方的接觸層；

第二半絕緣InP層包括傾斜表面部分，當遠離臺面結構移動時，該傾斜表面部分距襯底表面的高度變高；

電極被布置成覆蓋接觸層和至少一部分傾斜表面部分；和

其中電極與接觸層接觸。

3.根據權利要求2所述的光學半導體器件，還包括在所述第二半絕緣InP層上的第二抗擴散層，其中：

第二抗擴散層設置在電極的一部分和第二半絕緣InP層之間；和

第二抗擴散層的金擴散常數小于第二半絕緣InP層的金擴散常數。

4.根據權利要求1所述的光學半導體器件，進一步包括：

第三半導體層，其具有與第二導電類型半導體層相同的導電類型，并且橫跨臺面結構和第二半絕緣InP層；和

第三半導體層和電極之間的接觸層。

5.根據權利要求1所述的光學半導體器件，其中所述第一抗擴散層在平行于所述臺面結構的側表面的方向上具有比所述多量子阱層高的末端。

6.根據權利要求1所述的光學半導體器件，其中所述第一抗擴散層在平行于所述臺面結構的側表面的方向上具有末端，所述末端延伸至所述臺面結構的高度的至少80％。

7.根據權利要求1所述的光學半導體器件，其中，所述臺面結構的每個側表面與所述第一抗擴散層隔開10納米或更大的距離。

8.根據權利要求1所述的光學半導體器件，其中所述第一抗擴散層包括InGaAs、InGaAsP、InGaAlAs和InAlAs中的一種。

9.根據權利要求1所述的光學半導體器件，其中所述第一抗擴散層是未摻雜層、n型層和p型層中的一種。

10.根據權利要求1所述的光學半導體器件，其中所述第一抗擴散層具有隨著所述第一抗擴散層變得更靠近所述襯底而距所述臺面結構的側表面的距離變得更長的部分。