[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理方法、記錄介質及襯底處理裝置

在審

• 申請號: 202111399200.5
• 申請日: 2021-11-19
• 公開（公告）號: CN114551220A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 清野篤郎;小川有人;松野豊
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/8239;H01L27/108;H01L27/11524;H01L27/1157
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 牛蔚然

1.半導體器件的制造方法，其包括：

(a)向處理室內的襯底供給含有氫和氧的第1氣體的工序；

(b)向所述襯底供給含有氮和氫的第2氣體的工序；

(c)向所述襯底供給含有鹵素的第3氣體的工序；和

(d)向所述襯底供給反應氣體的工序，

并且，所述半導體器件的制造方法包括：

(e)進行(a)和(b)的工序；和

(f)通過在(e)之后進行(c)和(d)，從而在所述襯底形成膜的工序。

2.如權利要求1所述的方法，其中，在(e)中，在(a)之后進行(b)。

3.如權利要求1所述的方法，其中，在(e)中，多次進行(a)和(b)。

4.如權利要求1所述的方法，其中，(a)在使所述第1氣體物理吸附于所述襯底的氣氛下進行。

5.如權利要求2所述的方法，其中，(a)在使所述第1氣體物理吸附于所述襯底的氣氛下進行。

6.如權利要求3所述的方法，其中，(a)在使所述第1氣體物理吸附于所述襯底的氣氛下進行。

7.如權利要求1所述的方法，其中，(b)在使所述第2氣體與吸附于所述襯底的所述第1氣體反應的氣氛下進行。

8.如權利要求2所述的方法，其中，(b)在使所述第2氣體與吸附于所述襯底的所述第1氣體反應的氣氛下進行。

9.如權利要求3所述的方法，其中，(b)在使所述第2氣體與吸附于所述襯底的所述第1氣體反應的氣氛下進行。

10.如權利要求1所述的方法，其中，在(e)中，在(b)之后進行(a)。

11.如權利要求10所述的方法，其中，在(e)中，多次進行(b)和(a)。

12.如權利要求10所述的方法，其中，(a)在使所述第1氣體物理吸附于所述襯底的氣氛下進行。

13.如權利要求1所述的方法，其中，在(a)中，將在表面形成有氧化膜的襯底收容于所述處理容器。

14.如權利要求13所述的方法，其中，所述氧化膜包含Si、Al、Ge、Ga、Zr、Ti、Hf中的至少一種以上。

15.如權利要求1所述的方法，其中，所述第1氣體包含H₂及O₂、H₂O、H₂O₂中的至少一種以上。

16.如權利要求1所述的方法，其中，所述第2氣體包含NH₃、N₂及H₂、N₂H₂、N₃H₃、N₂H₄、以及含有胺基的氣體中的至少一種以上。

17.如權利要求1所述的方法，其中，所述第3氣體包含Cl或F作為所述鹵素，且包含Ti、Zr、Hf等第4族元素、Mo、W等第6族元素中的至少一種以上。